[發(fā)明專利]鰭型場效晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611215791.5 | 申請日： | 2016-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN107170803B | 公開（公告）日： | 2022-01-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張哲誠;林志翰;曾鴻輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/08 | 分類號： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鰭型場效 晶體管 | ||
1.一種鰭型場效晶體管，其特征在于，包括：
柵極堆疊結(jié)構(gòu)；
半導(dǎo)體鰭，嵌于所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)中，所述半導(dǎo)體鰭沿所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)的寬度方向延伸且具有分別在所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁處暴露出的第一凹部及第二凹部；以及
源極及漏極，配置于所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)的兩個相對側(cè)，所述源極包括填入所述第一凹部且嵌于所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)中的第一凸脊部分，且所述漏極包括填入所述第二凹部且嵌于所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)中的第二凸脊部分，其中所述第一凸脊部分及所述第二凸脊部分沿所述半導(dǎo)體鰭的高度方向延伸，所述第一凸脊部分包括在所述第一凸脊部分的第一凸脊線處互連的兩個第一主表面，所述第二凸脊部分包括在所述第二凸脊部分的第二凸脊線處互連的兩個第二主表面，所述第一主表面連接至所述半導(dǎo)體鰭的所述第一凹部，且所述第二主表面連接至所述半導(dǎo)體鰭的所述第二凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭型場效晶體管，其特征在于，所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括：
柵極；
柵極介電層；以及
一對間隔壁，配置于所述柵極的側(cè)壁上，所述半導(dǎo)體鰭嵌于所述柵極及所述一對間隔壁中，所述柵極介電層位于所述半導(dǎo)體鰭與所述一對間隔壁之間以及所述半導(dǎo)體鰭與所述柵極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鰭型場效晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體鰭的所述第一凹部及所述柵極介電層具有用于容置所述第一凸脊部分的第一V形槽，且所述半導(dǎo)體鰭的所述第二凹部及所述柵極介電層具有用于容置所述第二凸脊部分的第二V形槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭型場效晶體管，其特征在于，所述第一凸脊線及所述第二凸脊線沿所述半導(dǎo)體鰭的高度方向延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭型場效晶體管，其特征在于，所述第一凸脊線及所述第二凸脊線接觸所述半導(dǎo)體鰭。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭型場效晶體管，其特征在于，所述第一主表面之間的夾角及所述第二主表面之間的夾角小于90度。
7.一種鰭型場效晶體管，其特征在于，包括：
柵極堆疊結(jié)構(gòu)；
半導(dǎo)體鰭，嵌于所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)中，所述半導(dǎo)體鰭沿所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)的寬度方向延伸且具有分別在所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁處暴露出的第一V形凹部及第二V形凹部；以及
源極及漏極，配置于所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)的兩個相對側(cè)，所述源極包括第一主部分及從所述第一主部分突出的第一凸脊部分，所述漏極包括第二主部分及從所述第二主部分突出的第二凸脊部分，所述第一凸脊部分及所述第二凸脊部分分別嵌于所述第一V形凹部及所述第二V形凹部中，其中所述第一凸脊部分及所述第二凸脊部分沿所述半導(dǎo)體鰭的高度方向延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鰭型場效晶體管，其特征在于，所述第一主部分及所述第二主部分分布于所述第一V形凹部及所述第二V形凹部的外部。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鰭型場效晶體管，其特征在于，所述第一凸脊部分包括在所述第一凸脊部分的第一凸脊線處互連的兩個第一主表面，所述第二凸脊部分包括在所述第二凸脊部分的第二凸脊線處互連的兩個第二主表面，所述第一主表面連接至所述半導(dǎo)體鰭的所述第一V形凹部，且所述第二主表面連接至所述半導(dǎo)體鰭的所述第二V形凹部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鰭型場效晶體管，其特征在于，所述第一凸脊線及所述第二凸脊線沿所述半導(dǎo)體鰭的高度方向延伸。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鰭型場效晶體管，其特征在于，所述第一凸脊線及所述第二凸脊線接觸所述半導(dǎo)體鰭。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鰭型場效晶體管，其特征在于，所述第一主表面之間的夾角及所述第二主表面之間的夾角小于90度。
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
