[發明專利]自校準電流比較電路

有效

• 申請號: 201611215676.8
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106526295B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 林毅竟;滿雪成
• 申請（專利權）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號: G01R19/165
• 分類號: G01R19/165;G01R35/00
• 代理公司: 北京海虹嘉誠知識產權代理有限公司 11129
• 代理人: 吳小燦;周曉娜

1.自校準電流比較電路，其特征在于，包括依次連接的電流傳感器、放大器、自校準閾值存儲電路和比較器，所述比較器的輸出端連接系統輸出端；

所述電流傳感器具有被測電流輸入端、被測電流輸出端和傳感器時鐘端，所述自校準閾值存儲電路包括第一閾值存儲電容、第二閾值存儲電容、第一開關器和第二開關器，所述電流傳感器的第一傳感電壓輸出端連接所述放大器的正向輸入端，所述電流傳感器的第二傳感電壓輸出端連接所述放大器的負向輸入端，所述放大器的正向輸出端連接所述第一閾值存儲電容的左側端口，所述第一閾值存儲電容的右側端口通過所述第一開關器連接外部固定電壓端，所述放大器的負向輸出端連接所述第二閾值存儲電容的左側端口，所述第二閾值存儲電容的右側端口通過所述第二開關器連接外部固定電壓端，所述第一閾值存儲電容的右側端口連接所述比較器的正向輸入端，所述第二閾值存儲電容的右側端口連接所述比較器的負向輸入端。

2.根據權利要求1所述的自校準電流比較電路，其特征在于，所述第一開關器和第二開關器均具有控制端。

3.根據權利要求1所述的自校準電流比較電路，其特征在于，所述第一開關器的控制端、所述第二開關器的控制端和所述傳感器時鐘端一同連接到外部時鐘電路。

4.根據權利要求1所述的自校準電流比較電路，其特征在于，所述電流傳感器采用MOS管導通電阻傳感器，所述MOS管為外部被測電流路徑上的MOS管。

5.根據權利要求1所述的自校準電流比較電路，其特征在于，當傳感器時鐘端為邏輯高時，第一傳感電壓和第二傳感電壓之間形成差分閾值電壓，所述差分閾值電壓經所述放大器放大后存儲在第一閾值存儲電容和第二閾值存儲電容上，第一開關器和第二開關器均為導通狀態，所述比較器的輸出端輸出結果無效。

6.根據權利要求5所述的自校準電流比較電路，其特征在于，所述差分閾值電壓是一個與穩定電流和所述電流傳感器中MOS管導通電阻的乘積成比例的值。

7.根據權利要求5所述的自校準電流比較電路，其特征在于，所述第一閾值存儲電容和第二閾值存儲電容存儲的是所述放大器的失調電壓和所述差分閾值電壓，在比較相位時實際被測電流與MOS管導通電阻的乘積得到的電壓和所述差分閾值電壓進行比較，因而MOS管導通電阻的作用得以消除，比較時放大器的失調電壓和校準時電容中存儲的失調電壓相減，因而放大器的失調電壓也被消除。

8.根據權利要求1所述的自校準電流比較電路，其特征在于，當傳感器時鐘端為邏輯低時，第一傳感電壓和第二傳感電壓之間的差分電壓正比于輸入的被測電流，第一開關器和第二開關器均為截止狀態，所述比較器的輸出端輸出結果有效。

9.根據權利要求1所述的自校準電流比較電路，其特征在于，所述電流傳感器產生的差分閾值電壓和所述放大器的失調電壓均存儲在閾值電容中，所述比較器在隨后進行的比較中，所述放大器的失調電壓被閾值電容中存儲的失調電壓補償，從而實現了所述電流傳感器輸出電壓和閾值電容中存儲的閾值電壓進行精確比較。