[發明專利]一種三元層狀陶瓷鈦硅化碳與金屬鉻的擴散連接方法有效
| 申請號： | 201611215621.7 | 申請日： | 2016-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN107540401B | 公開（公告）日： | 2020-09-29 |
| 發明（設計）人： | 尹孝輝;高銀銀;國禮杰;包全和;李申申 | 申請（專利權）人： | 安徽工業大學 |
| 主分類號： | C04B37/02 | 分類號： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 安徽知問律師事務所 34134 | 代理人： | 杜袁成 |
| 地址： | 243002 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三元 層狀 陶瓷 鈦硅化碳 金屬 擴散 連接 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種三元層狀陶瓷鈦硅化碳與金屬鉻的擴散連接方法，其特征在于該擴散連接方法的具體步驟如下：
(1)將三元層狀陶瓷Ti3SiC2與金屬鉻進行表面處理，然后將所述三元層狀陶瓷Ti3SiC2與所述金屬鉻進行研磨、拋光及超聲清洗；然后將處理好的所述三元層狀陶瓷Ti3SiC2與所述金屬鉻安裝在熱壓爐中，并將所述熱壓爐抽真空；
(2)當所述熱壓爐中的真空度達到5×10-2Pa時開始加熱，在溫度為1000～1200℃、壓力為20～30MPa下恒壓保溫30～90min，使所述三元層狀陶瓷Ti3SiC2與所述金屬鉻進行擴散連接；
(3)所述擴散連接完成后，在原真空條件下使所述熱壓爐降溫至200℃，然后撤壓。
2.根據權利要求1所述的一種三元層狀陶瓷鈦硅化碳與金屬鉻的擴散連接方法，其特征在于所述步驟(2)中，以2～5MPa/min的加載速率加壓至20～30MPa。
3.根據權利要求1所述的一種三元層狀陶瓷鈦硅化碳與金屬鉻的擴散連接方法，其特征在于所述步驟(3)中，以5℃/min的降溫速率緩慢降溫至400℃，然后隨爐冷卻至200℃。
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