[發明專利]一種溝槽式超勢壘整流器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201611215405.2
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106784006A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 李風浪
• 申請（專利權）人: 東莞市聯洲知識產權運營管理有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司11246
• 代理人: 連平

1.一種溝槽式超勢壘整流器件，包括：第一導電類型襯底，所述第一導電類型襯底上表面的第一導電類型外延層，所述第一導電類型外延層上表層中的第一溝槽，填充所述第一溝槽的導電多晶硅，形成于所述第一溝槽與導電多晶硅之間的柵絕緣層，相鄰第一溝槽之間的第二導電類型注入區以及第二導電類型注入區上的第一導電類型注入區，位于所述第一導電類型外延層上部且與第一導電類型注入區、第二導電類型注入區以及導電多晶硅接觸的金屬電極，其特征在于：所述第二導電類型注入區下方形成第二導電類型增強區，所述第二導電類型增強區與第一溝槽之間有第一導電類型外延層相隔離，且所述第二導電類型增強區深度不低于所述第一溝槽深度。

2.如權利要求1所述的溝槽式超勢壘整流器件，其特征在于：所述第一溝槽底部周圍形成第二導電類型副注入層。

3.如權利要求1所述的溝槽式超勢壘整流器件，其特征在于：所述第二導電類型增強區多子濃度高于第一導電類型外延層多子濃度。

4.如權利要求1所述的溝槽式超勢壘整流器件，其特征在于：所述第二導電類型增強區與金屬電極接觸。

5.如權利要求1所述的溝槽式超勢壘整流器件，其特征在于：所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

6.如權利要求1所述的溝槽式超勢壘整流器件，其特征在于：所述第一導電類型外延層材料為硅、碳化硅或鍺硅。

7.如權利要求1所述的溝槽式超勢壘整流器件，其特征在于：所述金屬電極材料為銅、鋁或金。

8.一種溝槽式超勢壘整流器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)提供第一導電類型襯底，并且在所述第一導電類型襯底上生長第一導電類型外延層，刻蝕第一導電類型外延層形成第一溝槽；

(2)在所述第一溝槽內形成柵絕緣層，并沉積導電多晶硅，填充第一溝槽；

(3)對相鄰第一溝槽之間的第一導電類型外延層進行摻雜，形成第二導電類型注入區以及第二導電類型注入區上的第一導電類型注入區；

(4)刻蝕第一導電類型注入區以及第二導電類型注入區，形成第二溝槽；

(5)在所述第二導電類型注入區下形成第二導電類型增強區；

(6)沉積金屬電極，覆蓋第一導電類型注入區、第二導電類型注入區以及導電多晶硅。

9.如權利要求8所述的溝槽式超勢壘整流器件的制造方法，其特征在于：形成柵絕緣層之前對第一溝槽底部進行摻雜，形成第二導電類型副注入層。

10.如權利要求8所述的溝槽式超勢壘整流器件的制造方法，其特征在于：所述第二溝槽貫通第一導電類型注入區以及第二導電類型注入區。