[發(fā)明專(zhuān)利]一種低功率溝槽式肖特基整流器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611215383.X
• 申請(qǐng)日: 2016-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106783954B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李風(fēng)浪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 杭州易正科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 張偉靜

1.一種低功率溝槽式肖特基整流器件，包括：N+單晶硅襯底，形成于所述N+單晶硅襯底上的N-外延層，形成于所述N-外延層上表層中的溝槽，溝槽內(nèi)的導(dǎo)電介質(zhì)，形成于所述溝槽與所述導(dǎo)電介質(zhì)之間的柵絕緣層，形成于所述N-外延層上的陽(yáng)極金屬層，其特征在于，所述溝槽為斜溝槽，所述導(dǎo)電介質(zhì)包括相間排列的第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部，所述第二導(dǎo)電部材料為與N-外延層形成肖特基接觸的惰性金屬，所述柵絕緣層不連續(xù)，所述第一導(dǎo)電部通過(guò)柵絕緣層與N-外延層隔離，所述第二導(dǎo)電部與N-外延層接觸，所述第一導(dǎo)電部個(gè)數(shù)不少于兩個(gè)，所述第二導(dǎo)電部個(gè)數(shù)不少于一個(gè)，所述溝槽頂端與底端填充的導(dǎo)電介質(zhì)屬于第一導(dǎo)電部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功率溝槽式肖特基整流器件，其特征在于：第一導(dǎo)電部材料與第二導(dǎo)電部材料不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功率溝槽式肖特基整流器件，其特征在于：第一導(dǎo)電部材料與第二導(dǎo)電部材料相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功率溝槽式肖特基整流器件，其特征在于：第二導(dǎo)電部材料與陽(yáng)極金屬層材料相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低功率溝槽式肖特基整流器件，其特征在于：第二導(dǎo)電部材料與陽(yáng)極金屬層材料不同。

6.權(quán)利要求1-5所述的任一一種低功率溝槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在N+單晶硅襯底上形成N-外延層，通過(guò)硬質(zhì)掩膜版刻蝕N-外延層，形成溝槽，溝槽形狀為斜溝槽；

(2)在溝槽內(nèi)壁形成柵絕緣層，沉積第一導(dǎo)電部材料，部分填充溝槽，形成第一導(dǎo)電部；

(3)以硬質(zhì)掩膜版以及溝槽內(nèi)第一導(dǎo)電部為掩膜，刻蝕柵絕緣層，至柵絕緣層與第一導(dǎo)電部高度相同，沉積第二導(dǎo)電部材料，部分填充溝槽，形成第二導(dǎo)電部；

(4)循環(huán)重復(fù)(2)、(3)步至填滿(mǎn)溝槽，溝槽頂端填充的導(dǎo)電介質(zhì)屬于第一導(dǎo)電部；

(5)形成陽(yáng)極金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低功率溝槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于：所述柵絕緣層材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低功率溝槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于：所述第一導(dǎo)電部材料為金屬。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低功率溝槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于：第(2)步柵絕緣層可通過(guò)外延生長(zhǎng)形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低功率溝槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于：第(1)步與第(3)步用同一塊硬質(zhì)掩膜版。