[發明專利]雙端口靜態隨機存取記憶體單元在審
| 申請號： | 201611215266.3 | 申請日： | 2016-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN107230492A | 公開（公告）日： | 2017-10-03 |
| 發明（設計）人： | 廖忠志 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/413 | 分類號： | G11C11/413;G11C8/14;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 端口 靜態 隨機存取 記憶體 單元 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙端口靜態隨機存取記憶體單元，其限制于由一第一邊界至一第四邊界所定義的一區域中，該第一邊界及該第二邊界彼此平行，且該第三邊界及該第四邊界連接該第一邊界及該第二邊界并彼此平行，其特征在于，該雙端口靜態隨機存取記憶體單元包括：
一第一電力線至一第三電力線；
一儲存單元，其連接至該第一電力線至該第三電力線；
一第一端口，其包括由一第一字線控制的一第一傳送柵極晶體管及一第二傳送柵極晶體管，該第一傳送柵極晶體管使一第一位線與該儲存單元彼此耦接，并且該第二傳送柵極晶體管使一第二位線與該儲存單元彼此耦接；以及
一第二端口，其包括由一第二字線控制的一第三傳送柵極晶體管及一第四傳送柵極晶體管，該第三傳送柵極晶體管使一第三位線與該儲存單元彼此耦接，并且該第四傳送柵極晶體管使一第四位線與該儲存單元彼此耦接，
其中該第一位線至該第四位線以及該第一電力線至該第三電力線各自在一第一方向中延伸，并由一第一金屬層形成，
該第一字線在垂直于該第一方向的一第二方向中延伸，并由該第一金屬層上方的一第二金屬層形成，以及
該第二字線在該第二方向中延伸，并由該第二金屬層上方的一上層金屬層形成。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611215266.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
