[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201611215265.9
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106783953B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 陳哲
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;聞盼盼

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上形成第一金屬層(11)，采用第一光罩(12)對所述第一金屬層(11)進行圖形化處理，得到柵極(20)，在所述柵極(20)與襯底基板(10)上形成柵極絕緣層(30)；

步驟2、在所述柵極絕緣層(30)上形成一半導體層(31)，采用第二光罩(32)對所述半導體層(31)進行圖形化處理，形成對應于所述柵極(20)上方的有源層(40)；

在所述有源層(40)與柵極絕緣層(30)上形成第一光阻層(45)，采用第二光罩(32)對所述第一光阻層(45)進行曝光，在曝光過程中通過調整曝光機臺與所述第一光阻層(45)之間的距離和曝光能量，使得所述第一光阻層(45)上對應于所述有源層(40)兩端的區域受到強曝光；

對所述第一光阻層(45)進行顯影，所述第一光阻層(45)上對應于所述有源層(40)以外的區域以及對應于所述有源層(40)兩端的強曝光區域被剝離掉，得到第一光阻圖案(50)；

所述第一光阻圖案(50)的尺寸小于所述有源層(40)的尺寸，所述有源層(40)兩端沒有被所述第一光阻圖案(50)遮蓋的區域分別形成源極接觸區(41)與漏極接觸區(42)；

步驟3、在所述第一光阻圖案(50)、有源層(40)及柵極絕緣層(30)上形成第二金屬層(60)，在所述第二金屬層(60)上形成第二光阻層(70)；

采用第三光罩(75)對所述第二光阻層(70)進行曝光、顯影，形成間隔設置的第二光阻圖案(71)與第三光阻圖案(72)；

以所述第二光阻圖案(71)與第三光阻圖案(72)為掩膜，對所述第二金屬層(60)進行蝕刻，得到源極(61)與漏極(62)，所述源極(61)和漏極(62)分別與所述源極接觸區(41)和漏極接觸區(42)相接觸，并且分別覆蓋所述第一光阻圖案(50)的兩端；

對所述第二光阻圖案(71)與第三光阻圖案(72)以及所述第一光阻圖案(50)上對應于所述源極(61)與漏極(62)之間的區域進行剝離，所述第一光阻圖案(50)兩端分別被所述源極(61)與漏極(62)覆蓋的區域保留下來，形成第一光阻段(51)與第二光阻段(52)。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述有源層(40)的材料為氧化物半導體。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述氧化物半導體為銦鎵鋅氧化物。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，還包括：步驟4、在所述源極(61)、漏極(62)、有源層(40)及柵極絕緣層(30)上形成鈍化層(81)，在所述鈍化層(81)上形成平坦層(82)。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵極絕緣層(30)與鈍化層(81)的材料分別包括氧化硅與氮化硅中的一種或兩種；所述平坦層(82)的材料為有機光阻。