[發明專利]一種超薄陶瓷指紋識別片的加工工藝

有效

• 申請號: 201611209051.0
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN108237442B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 周群飛;饒橋兵;梁成華
• 申請（專利權）人: 藍思科技（長沙）有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B27/06;B24B7/17;B24B7/22;B24B37/08;B28D1/06
• 代理公司: 長沙七源專利代理事務所(普通合伙) 43214
• 代理人: 歐穎;吳婷

1.一種超薄陶瓷指紋識別片的加工工藝，所述超薄陶瓷指紋識別片的厚度為0.08~0.2mm，其特征在于，所述加工工藝包括如下步驟：

1）、線切割：按照厚度要求用多線金剛石線鋸對陶瓷晶棒進行切割，形成陶瓷片；

2）、粗磨：將切割獲得的陶瓷片放置在雙面粗磨機的游星輪定位型腔內對陶瓷片的上下表面同時進行粗磨，使用顆粒度為20~60μm的研磨液，控制壓力在60~150g/cm²之間變化，上磨盤轉速在5~20rpm之間變化，下磨盤轉速在15~30rpm之間變化，游星輪的公轉速度為3~7rpm，粗磨時間5~30min；

3）、粗拋光：將經過步驟2）粗磨后的陶瓷片放置在拋光機的游星輪定位型腔內對陶瓷片表面進行單面粗拋光，控制拋光機的上粗拋光盤與下粗拋光盤反向轉動，使用顆粒度為2~5μm的鉆石研磨液，控制壓力在100~200g/cm²之間變化，下粗拋光盤轉速在5~35rpm之間變化，上粗拋光盤與下粗拋光盤的速比為0.4~0.8，太陽輪與下粗拋光盤的速比為0.15~0.20，對陶瓷片的單面粗拋光15~30min至表面粗糙度5≤Ra≤10nm；

4）、精拋光：將經過步驟3）粗拋光后的陶瓷片放置在雙面拋光機的游星輪定位型腔內對陶瓷片的上下表面同時進行精拋光，控制拋光機的上精拋光盤與下精拋光盤反向轉動，使用顆粒度為60~80nm的二氧化硅研磨液，控制壓力在200~300g/cm²之間變化，下精拋光盤轉速在5~35rpm之間變化，上精拋光盤與下精拋光盤的速比為0.4~0.8，太陽輪與下精拋光盤的速比為0.15~0.20，對陶瓷片的雙面精拋光180~300min至表面粗糙度0.3≤Ra≤0.7nm，形成陶瓷片成品；

5）、激光切割：用激光將拋光好的所述陶瓷片成品切割成所需尺寸的陶瓷指紋識別片。

2.根據權利要求1所述的加工工藝，其特征在于，所述步驟1）中將陶瓷晶棒固定于旋轉裝夾裝置上，利用多線金剛石線鋸進行切割，所述多線金剛石線鋸的直徑為0.2~0.25mm，線鋸運行速度10~13m/s，線鋸切割速度0.1~0.3mm/min，線鋸搖擺角度4~8°。

3.根據權利要求1所述的加工工藝，其特征在于，所述步驟2）中研磨液為25~35μm的碳化硼或顆粒度25~55um的碳化硅。

4.根據權利要求1所述的加工工藝，其特征在于，所述步驟2）中雙面粗磨機的上磨盤和下磨盤為鑄鐵盤，所述上磨盤和下磨盤的研磨面上均設置有寬度為1~2mm、深度為6~10mm的井字型研磨液槽。

5.根據權利要求1所述的加工工藝，其特征在于，所述步驟3）中拋光機的上粗拋光盤和下粗拋光盤均為樹脂銅盤，所述上粗拋光盤和下粗拋光盤的拋光面上均設置有螺旋狀或同心圓狀的研磨液槽。

6.根據權利要求1所述的加工工藝，其特征在于，所述步驟4）中雙面拋光機的上精拋光盤和下精拋光盤的拋光面上均設置有磨皮，所述磨皮上開設有寬度為1~2mm、深度為1~3mm的井字型研磨液槽。

7.根據權利要求1所述的加工工藝，其特征在于，所述步驟2）和步驟3）之間還包括用砂輪棒或者砂輪對粗磨后的陶瓷片邊緣進行倒角，倒角量即陶瓷片徑向去除量的寬度為0.3~0.5mm。