[發明專利]一種增大過孔層的過孔坡度角的方法有效
| 申請號: | 201611208823.9 | 申請日: | 2016-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN106816365B | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發明(設計)人: | 楊永光;曾艷新;王浩;劉偉;任思雨;蘇君海;黃亞清;李建華 | 申請(專利權)人: | 信利(惠州)智能顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 章蘭芳 |
| 地址: | 516029 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 增大 坡度 方法 | ||
本發明提供了一種增大過孔層的過孔坡度角的方法,包括光刻步驟和刻蝕步驟,光刻步驟包括光刻膠涂膠步驟、真空干燥步驟、軟烘步驟、曝光顯影步驟;在光刻膠涂膠步驟中,將光刻膠涂覆在膜層上,在真空干燥步驟中,延長抽真空時間20%至50%,光刻膠上部硬度大于下部硬度;在曝光顯影步驟中,光刻膠經曝光顯影形成上寬中窄下寬的光刻膠過孔,光刻膠形成凸出的中部;在刻蝕步驟中,光刻膠凸出的中部先被灰化,光刻膠過孔下方的整個膜層表面以接近一致的速度灰化,形成坡度角為60至90度的過孔層過孔。實施本發明提供了一種增大過孔層的過孔坡度角的方法,能夠形成坡度角為60至90度的過孔層過孔,同時降低過孔層的關鍵尺寸失真,使電路能有更好的搭接效果。
技術領域
本發明涉及顯示面板技術領域,尤其涉及一種增大過孔層的過孔坡度角的方法。
背景技術
在顯示面板行業中,電路設計一般為4~12層圖案的疊加,在半導體行業中,層數更是多達幾十道。在這些多層的電路設計中,過孔層是必不可少的一層,它起到連接電路、承上啟下的作用。對過孔層來說,過孔坡度角尤為重要,坡度角小則過孔層的關鍵尺寸損失大,當過孔坡度角為90°的時候,過孔層的關鍵尺寸損失最小。但目前采用傳統工藝制作出來的坡度角最大約為60°,還存在很大程度上的關鍵尺寸損失。而過孔坡度角除了和成膜與刻蝕工藝相關之外,還和光刻崗位中所成的光刻膠的坡度角有很大的關系,而光刻膠的坡度角的形成取決于真空干燥和軟烘步驟中光刻膠的軟硬程度。傳統工藝中一般要求真空干燥和軟烘步驟后光刻膠的軟硬程度一致,但其形成的光刻膠過孔由于溶解速率一致,會形成上寬下窄的正角,從而導致刻蝕步驟后形成的過孔坡度角偏小,影響電路的搭接質量。
發明內容
本發明提供一種增大過孔層的過孔坡度角的方法,解決了增大光刻步驟中的真空干燥時長來生成上層硬度大于下層的光刻膠,并經過曝光顯影后形成上寬中窄下寬的光刻膠過孔,再經過刻蝕步驟形成坡度角為60°至90°的過孔層過孔的技術問題。
為解決以上技術問題,本發明提供一種增大過孔層的過孔坡度角的方法,包括光刻步驟和刻蝕步驟,光刻步驟包括光刻膠涂膠步驟、真空干燥步驟、軟烘步驟、曝光顯影步驟;在光刻膠涂膠步驟中,將光刻膠涂覆在膜層上:在真空干燥步驟中,延長抽真空時間20%至50%,光刻膠上部硬度大于下部硬度;在曝光顯影步驟中,光刻膠經曝光顯影形成上寬中窄下寬的光刻膠過孔,光刻膠形成凸出的中部;
在刻蝕步驟中,光刻膠凸出的中部先被灰化,光刻膠過孔下方的整個膜層表面以接近一致的速度灰化,形成坡度角為60°至90°的過孔層過孔。
具體地,在所述真空干燥步驟中,逐漸抽出工藝腔室的空氣直至真空,所述光刻膠上部的溶劑從表面開始蒸發。
具體地,在所述軟烘步驟中,用熱板將工藝腔室升溫,所述光刻膠下部的溶劑從底面開始蒸發。
具體地,在所述刻蝕步驟中,所述光刻膠與膜層形成過孔層過孔后的弧形邊緣與膜層底面的相交處的切面與所述膜層底面所成的夾角為所述過孔坡度角。
優選地,在所述真空干燥步驟中,延長抽真空時間最佳為35%。
本發明提供的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法,在傳統工藝的基礎上,通過增大光刻步驟中的真空干燥時長20%至50%來使光刻膠上層的硬度大于下層,并經過曝光顯影后形成上寬中窄下寬的光刻膠過孔,再經過刻蝕步驟形成坡度角為60°至90°的過孔層過孔,同時降低光刻后與刻蝕后的過孔層的關鍵尺寸失真,使過孔層電路能有更好的搭接效果,進一步改善電路質量,并且當過孔層坡度角接近直角時,過孔的分辨率也能得到進一步提升。
附圖說明
圖1是本發明實施例提供的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法的制作流程圖;
圖2是本發明實施例提供的一種增大過孔層的過孔坡度角的方法的過孔層的結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





