[發明專利]一種有機電致發光顯示面板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201611208526.4
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106784350A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 張粲;陳小川;劉冬妮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

1.一種有機電致發光顯示面板，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的陽極和陰極，以及位于所述陽極和所述陰極之間的有機發光層，其特征在于，還包括覆蓋整個所述襯底基板的半導體層；其中：

所述半導體層位于所述陽極和所述有機發光層之間；或，

所述半導體層位于所述陰極和所述有機發光層之間。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示面板，其特征在于，流經所述半導體層的電流值大于有機電致發光顯示面板點亮時需要的電流值；所述流經所述半導體層的電流值為當有機電致發光顯示面板包括的薄膜晶體管陣列電路中的薄膜晶體管開啟時，薄膜晶體管的開啟電壓對應的電流值。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示面板，其特征在于，所述半導體層為有機化合物半導體層，或為非晶態半導體層，或為氧化物半導體層。

4.根據權利要求3所述的有機電致發光顯示面板，其特征在于，所述非晶態半導體層為非晶硅半導體層。

5.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示面板，其特征在于，所述半導體層的厚度為到

6.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示面板，其特征在于，所述陽極的材料為金屬材料或透明導電材料；

所述陰極的材料為金屬材料或透明導電材料。

7.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示面板，其特征在于，當所述半導體層位于所述陽極和所述有機發光層之間，還包括：位于所述陽極和所述半導體層之間的空穴注入層；或，位于所述半導體層和所述有機發光層之間的空穴注入層；

當所述半導體層位于所述陰極和所述有機發光層之間，還包括：位于所述陽極和所述有機發光層之間的空穴注入層。

8.根據權利要求1或7所述的有機電致發光顯示面板，其特征在于，當所述半導體層位于所述陽極和所述有機發光層之間，還包括：位于所述有機發光層和所述陰極之間的電子傳輸層；

當所述半導體層位于所述陰極和所述有機發光層之間，還包括：位于所述陰極和所述半導體層之間的電子傳輸層；或，位于所述半導體層和所述有機發光層之間的電子傳輸層。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-8任一項所述的有機電致發光顯示面板。

10.一種有機電致發光顯示面板的制作方法，包括在襯底基板上制作陽極、有機發光層和陰極的方法，其特征在于，該方法還包括：

在所述陽極上制作一層半導體層，該半導體層覆蓋整個襯底基板；或，

在所述陰極上制作一層半導體層，該半導體層覆蓋整個襯底基板。

11.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述陽極上制作一層半導體層，包括：

在所述陽極上通過化學氣相沉積的方法沉積一層半導體層；

所述在所述陰極上制作一層半導體層，包括：

在所述陰極上通過化學氣相沉積的方法沉積一層半導體層。

12.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上制作陽極或陰極之前包括：在所述襯底基板上制作若干陣列排列的薄膜晶體管陣列電路；

流經所述半導體層的電流值大于有機電致發光顯示面板點亮時需要的電流值；所述流經所述半導體層的電流值為所述薄膜晶體管陣列電路中的薄膜晶體管開啟時，薄膜晶體管的開啟電壓對應的電流值。

13.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述半導體層為有機化合物半導體層，或為非晶態半導體層，或為氧化物半導體層。

14.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，當在所述陽極上制作一層半導體層，該方法還包括：

在所述陽極和所述半導體層之間制作空穴注入層；或，在所述半導體層和所述有機發光層之間制作空穴注入層；

當在所述陰極上制作一層半導體層，該方法還包括：

在所述陽極和所述有機發光層之間制作空穴注入層。

15.根據權利要求10或14所述的制作方法，其特征在于，當在所述陽極上制作一層半導體層，該方法還包括：

在所述有機發光層和所述陰極之間制作電子傳輸層；

當在所述陰極上制作一層半導體層，該方法還包括：

在所述陰極和所述半導體層之間制作電子傳輸層；或，在所述半導體層和所述有機發光層之間制作電子傳輸層。