[發明專利]自加熱效應模型及測試方法有效
| 申請號: | 201611207623.1 | 申請日: | 2016-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN108242200B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發明(設計)人: | 林曦;沈憶華;李森生 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | G09B25/00 | 分類號: | G09B25/00;G01R31/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吳敏 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 效應 模型 測試 方法 | ||
一種自加熱效應模型及測試方法,所述自加熱效應模型用于表征若干器件的熱流網絡,所述若干器件包括待測器件和位于待測器件周圍的若干鄰器件,包括:基準熱阻和基準熱容;熱溫反饋模型,用于通過各個鄰器件的熱度級根據待測器件到各鄰器件的距離級、待測器件垂直熱擴散級、待測器件功率級、以及待測器件和各個鄰器件所處環境溫度級獲取待測器件熱度級;修正熱阻模型,用于根據待測器件熱度級和基準熱阻獲取待測器件修正熱阻;修正熱容模型,用于根據待測器件熱度級和基準熱容獲取待測器件修正熱容。所述自加熱效應模型能精確表征待測器件的熱流網絡。
技術領域
本發明涉及器件測試仿真領域,尤其涉及一種自加熱效應模型及測試方法。
背景技術
器件的自加熱效應指的是:器件工作時自身產生的熱量足夠大的時候導致器件內的溫度高于環境溫度,從而影響器件的性能。因此,需要對器件的自加熱效應進行仿真。
自加熱效應模型用來仿真器件自加熱效應的熱流網絡。
然而,現有技術的自加熱效應模型不能精確的仿真器件自加熱效應的熱流網絡。
發明內容
本發明解決的問題是提供一種自加熱效應模型及測試方法,以精確表征待測器件的熱流網絡。
為解決上述問題,本發明提供一種自加熱效應模型,用于表征若干器件的熱流網絡,所述若干器件包括待測器件和位于待測器件周圍的若干鄰器件,其特征在于,包括:基準熱阻和基準熱容;熱溫反饋模型,用于通過各個鄰器件的熱度級根據待測器件到各鄰器件的距離級、待測器件垂直熱擴散級、待測器件功率級、以及待測器件和各個鄰器件所處環境溫度級獲取待測器件熱度級;修正熱阻模型,用于根據待測器件熱度級和基準熱阻獲取待測器件修正熱阻;修正熱容模型,用于根據待測器件熱度級和基準熱容獲取待測器件修正熱容。
可選的,所述熱溫反饋模型包括:溫度級模型,用于獲取各器件的溫度級;熱度級模型,用于獲取各器件的熱度級。
可選的,所述若干器件的溫度級包括待測器件溫度級和各個鄰器件溫度級;所述若干器件的熱度級包括待測器件熱度級和各個鄰器件熱度級。
可選的,所述待測器件熱度級TML(S0)通過熱度級模型根據待測器件溫度級WTL(S0)和待測器件功率級EPD(S0)獲取,TML(S0)=(WTL(S0)+EPD(S0))*ETR;所述待測器件溫度級WTL(S0)通過溫度級模型根據待測器件到各鄰器件的距離級、各個鄰器件熱度級、待測器件垂直熱擴散級VHD(S0)以及待測器件和各個鄰器件所處環境溫度級ETS獲取,其中,ETR為熱度系數;Wi0表示待測器件到第i個鄰器件的距離級;TML(Si)表示第i個鄰器件熱度級;k等于各個鄰器件的總數。
可選的,第i個鄰器件熱度級TML(Si)通過熱度級模型根據第i個鄰器件溫度級WTL(Si)和第i個鄰器件功率級EPD(Si)獲取,TML(Si)=(WTL(Si)+EPD(Si))*ETR;第i個鄰器件溫度級WTL(Si)通過溫度級模型根據第i個鄰器件到待測器件的距離級Wi0、第i個鄰器件到第i個鄰器件周圍各個鄰器件的距離級、待測器件熱度級TML(S0)、第i個鄰器件周圍各個鄰器件熱度級、第i個鄰器件垂直熱擴散級VHD(Si)以及待測器件和各個鄰器件所處環境溫度級ETS獲取,其中,Wim表示第i個鄰器件到第m個鄰器件的距離級;TML(Sm)表示第m個鄰器件熱度級。
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