[發明專利]一種OLED顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201611207500.8 | 申請日: | 2016-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN108242453B | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發明(設計)人: | 孫艷六;史世明;劉政 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括:襯底基板,設置于所述襯底基板一側之上的多個OLED發光器件,與各所述OLED發光器件對應連接的信號走線和控制器件,設置于所述襯底基板另一側或同一側的圖像傳感器,以及設置于所述圖像傳感器和各所述OLED發光器件所在膜層之間的具有至少一個小孔成像區域的遮光層;其中,
所述小孔成像區域在所述襯底基板上的正投影設置于各所述OLED發光器件之間的間隙處,且與所述信號走線和控制器件中的遮光部件在所述襯底基板上的正投影錯開設置;
所述圖像傳感器用于獲取在所述OLED顯示面板上方的物體經過所述小孔成像區域后的成像;
所述小孔成像區域與距離最近的所述OLED發光器件之間滿足如下關系:
所述小孔成像區域與距離最近的OLED發光器件之間的水平距離大于所述小孔成像區域與距離最近的OLED發光器件之間的垂直距離。
2.如權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述小孔成像區域由陣列排布的多個開孔組成。
3.如權利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,在一個所述小孔成像區域內,相鄰的兩個所述開孔之間的中心距離d滿足如下之一或組合關系:
d2*(ho+ht/2)*tan(arcsin(1/n)),d2*(hd+ht/2)*tan(arcsin(1/n));
其中,n為與所述圖像傳感器的接收面接觸的膜層的折射率,hd為所述遮光層的下表面與所述圖像傳感器的上表面之間的距離,ht為所述遮光層的厚度,ho為所述遮光層的上表面與所述OLED顯示面板的上表面之間的距離。
4.如權利要求3所述的OLED顯示面板,其特征在于,各所述開孔的直徑在5μm-20μm之間。
5.如權利要求1-4任一項所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述信號走線具體包括:設置于各所述OLED發光器件所在膜層與所述襯底基板之間的數據線;
所述遮光層設置于所述OLED發光器件所在膜層與所述數據線所在膜層之間;
所述遮光層,還包括:用于連接所述數據線所在膜層中的其他圖案與所述OLED發光器件中的陽極的連接通孔。
6.如權利要求5所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述OLED發光器件中的陽極具有包含遮光金屬膜層的疊層結構;
所述OLED發光器件中的陽極在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述連接通孔的正投影。
7.如權利要求5所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述數據線所在膜層包含的信號走線僅為數據線;
所述遮光層為用于加載直流電壓信號的導電層。
8.如權利要求7所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述遮光層還包括:設置在至少部分所述數據線上方的鏤空區域;
所述OLED發光器件中的陽極具有包含遮光金屬膜層的疊層結構;所述OLED發光器件中的陽極在襯底基板上的正投影覆蓋所述鏤空區域的正投影。
9.如權利要求7所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述數據線的線寬大于2.3μm,所述數據線所在膜層的厚度小于700nm。
10.如權利要求9所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述數據線的線寬為3.5μm,所述數據線所在膜層的厚度為500nm。
11.如權利要求6或8所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述OLED發光器件中陽極的面積大于所述OLED發光器件中發光層的面積。
12.如權利要求1-4任一項所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述圖像傳感器整面設置,或僅設置在所述小孔成像區域的下方。
13.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-12任一項所述的OLED 顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





