[發明專利]塊狀硅原料的堿式清洗方法

在審

• 申請號: 201611207453.7
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106623218A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 李新培;龐學
• 申請（專利權）人: 江蘇邇高新能源科技有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/02;B08B3/10;B08B3/12;F26B21/00;B24B19/22
• 代理公司: 淮安市科文知識產權事務所32223
• 代理人: 馮曉昀

1.塊狀硅原料的堿式清洗方法，其特征在于包括以下步驟：

1）將塊狀的硅原料中含有雜質的部分進行打磨；將打磨后的硅原料放入清水池內沖洗，并在沖洗后對硅原料的表面進行觀察；

2）根據觀察：將含有少量雜質甚至不含有雜質的硅原料放入堿液池內進行浸泡，對硅原料表面殘留的雜質和膠液殘留物進行泡洗；將讓含有大量雜質的硅原料重復步驟1）的操作；

3）將步驟2）中的放入堿液池內的硅原料浸泡15~25分鐘，并對經過堿液池浸泡的硅原料取出并進行觀察；

4）根據觀察：將表面光亮、沒有殘留污垢且不含有雜質的硅原料依次放入清水池中沖洗和超聲清洗設備中清洗；將含有微量雜質的硅原料再次進行打磨；將仍含有少量雜質的硅原料重復步驟3）的操作；

5）將雜質完全打磨掉的硅原料放入清水池內沖洗，并在沖洗后對硅原料的表面進行觀察；

6）根據觀察：將表面光亮、沒有殘留污垢且不含雜質的硅原料進行超聲清洗設備中清洗；將表面仍有殘留污垢的硅原料放入堿液池內進行堿洗，對硅原料表面殘留的膠液殘留物進行泡洗；

7）將步驟6）中的放入堿液池內的硅原料浸泡2~5分鐘，并對經過堿液池浸泡的硅原料取出并進行觀察；

8）根據觀察：將表面光亮、沒有殘留污垢且不含有雜質的硅原料依次放入清水池中沖洗和超聲清洗設備中清洗；將表面仍有殘留污垢的硅原料重復步驟7）的操作。

2.如權利要求1所述的塊狀硅原料的堿式清洗方法，其特征在于：所述堿液池中的堿液為氫氧化鈉溶液，所述氫氧化鈉溶液中氫氧化鈉的質量百分比在1%~3%的范圍內。

3.如權利要求1所述的塊狀硅原料的堿式清洗方法，其特征在于：所述堿液池內堿液的溫度在55~100攝氏度的范圍內。

4.如權利要求3所述的塊狀硅原料的堿式清洗方法，其特征在于：當室溫環境大于或等于25攝氏度的時候，堿液池內堿液的溫度在55~65攝氏度的范圍內；當室溫環境在20~25攝氏度范圍內的時候，堿液池內堿液的溫度在65~80攝氏度的范圍內；當室溫環境低于20設施度的時候，堿液池內堿液的溫度在80~100攝氏度范圍內。

5.如權利要求1或或2或3其中任意一項所述的塊狀硅原料的堿式清洗方法，其特征在于：所述堿液在浸泡過程中每2~5分鐘檢測一次堿液的pH值。

6.如權利要求5所述的塊狀硅原料的堿式清洗方法，其特征在于：當硅原料在堿液中浸泡的過程中，當堿液的pH值小于等于12的時候，需要將堿液進行更換。

7.如權利要求1所述的塊狀硅原料的堿式清洗方法，其特征在于：所述的塊狀的硅原料為回收料或純料。

8.如權利要求7所述的塊狀硅原料的堿式清洗方法，其特征在于：所述的塊狀的硅原料使用重摻筆進行測試的時候，在距離大于等于0.1米的范圍聽不見重摻筆的報警聲。

9.如權利要求1所述的塊狀硅原料的堿式清洗方法，其特征在于：所述硅原料經過超聲清洗設備的清洗之后，將硅原料進行烘干。

10.如權利要求9所述的塊狀硅原料的堿式清洗方法，其特征在于：所述硅原料的烘干溫度在100~120攝氏度的范圍內。