[發(fā)明專利]一種金錫合金線材的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611206992.9
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106834782B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設計）人: 黃軍浩;顧晨
• 申請（專利權）人: 昆山全亞冠環(huán)保科技有限公司
• 主分類號: C22C5/02
• 分類號: C22C5/02;C22C1/02
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

本實用屬于合金線材制造領域，特別涉及一種金錫合金線材的制造方法，其步驟包括，按照需求質(zhì)量比對金和錫進行預合金并鑄錠；將預合金投至連鑄設備內(nèi)進行熔融；從連鑄設備將金錫線材母線拉出；利用結晶器將母線抽拉至需求的直徑；用酒精棉擦拭水洗后的樣品，裁剪完成金錫線材。本發(fā)明可連續(xù)進行大批量的金錫合金線材生產(chǎn)，生產(chǎn)效率高，加工難度低，所得產(chǎn)品組成均勻，不易斷裂，質(zhì)量有保證。

技術領域

本實用屬于合金線材制造領域，特別涉及一種使金錫合金線材更容易制造的方法。

背景技術

低溫金合金中的AuSn20材料,針對大功率光電器件的高導熱需要，這些特性使得低溫金合金在大功率LED，電動汽車和激光器等微電子領域，以及光通信和光電器件的戰(zhàn)略領域中得到廣泛應用。金合金材料如AuSn、AuGe、AuZn、AuGeNi等,都可能用在微電子學、光電子學、半導體發(fā)光和MEMS等領域有廣闊的應用前景。基于電致發(fā)光的大功率LED和高功率激光器以及基于光通信原理的Intel光腦技術，都要求光電子封裝材料和工藝進行變革。兩方面的特殊要求使得低溫金合金,如AuSn20、AuSn25、AuGe12等材料,成為光電子封裝關注的焦點。

國內(nèi)目前采用的AuSn20多數(shù)采用預成型片，然后采用鑄造拉撥軋制法和疊層冷軋復合法制得。鑄造拉撥軋制法需要添加第三組元Pd或Pt，影響了金錫合金的純度，焊接性能也會受到影響。而疊層冷軋復合法難以控制金與錫的反應量，未合金化的金或錫都會對焊料產(chǎn)生不良影響。在微電子學、光電子學和MEMS中應用的焊盤一般只需要3-5μm，而Au、Sn多層冷軋制造AuSn20合金箔帶材厚度為0.025～0.10mm。使用的預成型片最薄厚度為25μm，且得到的合金較脆，無法進行微加工，更無法滿足圖形復雜、精確定位和圓片級凸點的要求。

本發(fā)明就是為了提供一種新的金錫合金線材的制造方法來解決以上問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的是為了提供一種使金錫合金線材更容易制造的方法。

本發(fā)明通過如下技術方案實現(xiàn)上述目的：一種金錫合金線材的制造方法，包括如下步驟：

①按照需求質(zhì)量比對金和錫進行預合金并鑄錠；

②將步驟①得到的預合金投至連鑄設備內(nèi)進行熔融；

③從連鑄設備將金錫線材母線拉出；

④利用結晶器將母線抽拉至需求的直徑；

⑤用酒精棉擦拭水洗后的樣品，裁剪完成金錫線材。

具體的，所述預合金由金、錫組成，其各組分的質(zhì)量百分比為：金錠：75-80％；錫錠：20-25％。

進一步的，所述各組分的質(zhì)量百分比為：金錠：80％；錫錠：20％。

具體的，所述步驟②熔融溫度為350-500℃。

具體的，所述步驟③母線拉出冷卻溫度130-150℃。

具體的，所述步驟④中結晶器的內(nèi)徑為1-3mm。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果在于：

本發(fā)明可連續(xù)進行大批量的金錫合金線材生產(chǎn)，生產(chǎn)效率高，加工難度低，所得產(chǎn)品組成均勻，不易斷裂，質(zhì)量有保證。

附圖說明

具體實施方式

以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。

實施例1

①在石墨坩鍋內(nèi)投入80％金錠和20％錫錠，熔解后倒入石墨鑄具內(nèi)，然后倒出冷卻，裁剪成長度≦3cm的預合金；

②步驟①得到預合金投料至連鑄機內(nèi)，設定溫度500℃，待全部熔融；