[發明專利]一種有機電極阻變存儲器及其制備方法

有效

• 申請號: 201611206793.8
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106601910B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 閆小兵;張磊;趙建輝
• 申請（專利權）人: 河北大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 石家莊國域專利商標事務所有限公司 13112
• 代理人: 白利霞;蘇艷肅

1.一種有機電極阻變存儲器，其特征在于，其結構是在襯底上依次形成有PCBM有機電極、Zr_0.5Hf_0.5O₂阻變轉換層和Ag電極層。

2.根據權利要求1所述的有機電極阻變存儲器，其特征在于，所述PCBM有機電極的厚度為10~300nm。

3.根據權利要求1所述的有機電極阻變存儲器，其特征在于，所述Zr_0.5Hf_0.5O₂阻變轉換層的厚度為3~50nm。

4.根據權利要求1所述的有機電極阻變存儲器，其特征在于，所述Ag電極層的厚度為50~200nm。

5.根據權利要求1、2、3或4所述的有機電極阻變存儲器，其特征在于，所述襯底為FTO襯底或玻璃襯底。

6.一種有機電極阻變存儲器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（a）將襯底依次在丙酮、酒精和去離子水中用超聲波清洗，取出后用N₂吹干；

（b）將干燥潔凈的襯底置于臺式甩膠機的托盤上，打開真空泵使襯底吸附固定在托盤上，抽取PCBM溶液滴加到襯底上，設置甩膠機運轉轉速、加速度以及時間，在氮氣氛圍下，使PCBM溶液均勻旋涂在所述襯底上，再將涂覆有PCBM溶液的襯底置于真空干燥箱中退火，在所述襯底上形成了PCBM有機電極；

（c）將形成有PCBM有機電極的襯底固定到磁控濺射設備的襯底臺上，并將腔體抽真空至1×10^-4~6×10^-4Pa，向腔體內通入流量為20~75sccm的Ar和10~40sccm的O₂，調整腔體內的壓強維持在1~6Pa，打開控制Zr_0.5Hf_0.5O₂靶材起輝的射頻源，調整射頻源功率為60~100W，使Zr_0.5Hf_0.5O₂靶材起輝，預濺射5~10min；之后正式濺射50~70min，在PCBM有機電極上形成了Zr_0.5Hf_0.5O₂阻變轉換層；

（d）在形成Zr_0.5Hf_0.5O₂阻變轉換層的襯底上放置掩膜版，將腔體抽真空至1×10^-4~4×10^-4Pa，向腔體內通入流量為20~30sccm的Ar，調整腔體內的壓強維持在1~6Pa，打開控制銀靶材起輝的直流源，調整直流源功率為8~11W，使銀靶材起輝，預濺射4~6min；之后正式濺射6~10min，在Zr_0.5Hf_0.5O₂阻變轉換層上形成Ag電極層。

7.根據權利要求6所述的有機電極阻變存儲器的制備方法，其特征在于，步驟（a）所述的襯底為FTO襯底或玻璃襯底。

8.根據權利要求6所述的有機電極阻變存儲器的制備方法，其特征在于，步驟（b）所述的PCBM溶液是按質量體積比為10mg : 1mL將PCBM溶于氯仿中、混勻、微濾后的溶液。

9.根據權利要求6所述的有機電極阻變存儲器的制備方法，其特征在于，步驟（b）所述設置甩膠機運轉的轉速為5000r/min、加速度為500r/s²、時間為60s。

10.根據權利要求6所述的有機電極阻變存儲器的制備方法，其特征在于，步驟（b）所述的退火是指在50℃的環境下真空退火10 min。