[發(fā)明專利]一種陣列結構量子點發(fā)光二極管器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611206399.4
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106784369A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設計）人: 李樂;向超宇;張?zhí)?/a>;辛征航;張東華
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)44268
• 代理人: 王永文,劉文求

1.一種陣列結構量子點發(fā)光二極管器件，從下至上依次包括襯底、底電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層和頂電極，其特征在于，所述底電極上還設置有一層具有蜂窩孔結構的陽極氧化鋁膜，所述空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層和電子傳輸層均沉積在所述陽極氧化鋁膜的蜂窩孔內。

2.根據(jù)權利要求1所述的陣列結構量子點發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述蜂窩孔的孔徑為10~500nm。

3.根據(jù)權利要求1所述的陣列結構量子點發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述蜂窩孔的孔間距為30~600nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的陣列結構量子點發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述蜂窩孔的孔深為100nm~150μm。

5.根據(jù)權利要求1所述的陣列結構量子點發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述電子傳輸層上還設置有一導熱層。

6.根據(jù)權利要求5所述的陣列結構量子點發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述導熱層材料為石墨烯或碳化硅中的一種。

7.根據(jù)權利要求1所述的陣列結構量子點發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述量子點發(fā)光層的材料為II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族單質中的一種或多種。

8.根據(jù)權利要求1所述的陣列結構量子點發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述的空穴注入層為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、非摻雜過渡金屬氧化物、摻雜過渡金屬氧化物、金屬硫化物、摻雜金屬硫化物中的一種或多種。

9.根據(jù)權利要求1所述的陣列結構量子點發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述的電子傳輸層材料為n型ZnO、TiO₂、SnO、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3三(8-羥基喹啉)鋁、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO₃中的一種或多種。

10.一種陣列結構量子點發(fā)光二極管器件的制備方法，其特征在于，包括步驟：

A、在襯底表面沉積一層底電極；

B、在底電極表面移植一層具有蜂窩孔結構的陽極氧化鋁膜；

C、在所述陽極氧化鋁膜的蜂窩孔道內沉積一層空穴注入層

D、在所述陽極氧化鋁膜蜂窩孔道內的空穴注入層上沉積一層空穴傳輸層；

E、在所述陽極氧化鋁膜蜂窩孔道內的空穴傳輸層上沉積一層量子點發(fā)光層；

F、在所述陽極氧化鋁膜蜂窩孔道內的量子點發(fā)光層上沉積一層電子傳輸層；

G、在所述電子傳輸層表面沉積頂電極，得到所述陣列結構量子點發(fā)光二極管器件。