[發明專利]陣列基板、顯示面板、顯示裝置及陣列基板的制備方法

有效

• 申請號: 201611206273.7
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106783879B
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 陳劍鴻
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/64;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

第一基板；

第一金屬層，設置于所述第一基板一側；

第一絕緣層，設置于所述第一金屬層背對所述第一基板一側；

半導體層，設置于所述第一絕緣層背對所述第一金屬層一側；

第二金屬層，設置于所述半導體層背對所述第一絕緣層一側；

第二絕緣層，設置于所述第二金屬層背對所述半導體層一側；

像素電極，設置于所述第二絕緣層背對所述第二金屬層一側；

其中，所述第二絕緣層設有第一過孔，用于電性連接所述第二金屬層與所述像素電極，所述第一金屬層與所述第二金屬層構成第一存儲電容，所述第一金屬層和所述像素電極構成第二存儲電容，且同時所述第二絕緣層、所述第二金屬層以及所述半導體層設有第二過孔，所述像素電極延伸至所述第二過孔的孔壁和孔底，以使得與所述第一金屬層構成所述第二存儲電容。

2.如權利要求1所述的基板，其特征在于，

所述第一過孔和第二過孔同一位置或不同位置。

3.如權利要求1至2任一項所述的基板，其特征在于，

所述第一絕緣層和所述第二絕緣層由氮化硅材料制成，所述半導體層由非晶硅材料制成。

4.一種顯示面板，其特征在于，包括平行設置的陣列基板與第二基板，所述陣列基板包括：

第一基板；

第一金屬層，設置于所述第一基板一側；

第一絕緣層，設置于所述第一金屬層背對所述第一基板一側；

半導體層，設置于所述第一絕緣層背對所述第一金屬層一側；

第二金屬層，設置于所述半導體層背對所述第一絕緣層一側；

第二絕緣層，設置于所述第二金屬層背對所述半導體層一側；

像素電極，設置于所述第二絕緣層背對所述第二金屬層一側；

其中，所述第二絕緣層設有第一過孔，用于電性連接所述第二金屬層與所述像素電極，所述第一金屬層與所述第二金屬層構成第一存儲電容，所述第一金屬層和所述像素電極構成第二存儲電容，且同時所述第二絕緣層、所述第二金屬層以及所述半導體層設有第二過孔，所述像素電極延伸至所述第二過孔的孔壁和孔底，以使得與所述第一金屬層構成第二存儲電容。

5.如權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，

所述第一過孔和第二過孔同一位置或不同位置。

6.如權利要求4至5任一項所述的顯示面板，其特征在于，

所述第一絕緣層和所述第二絕緣層由氮化硅材料制成，所述半導體層由非晶硅材料制成。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括背光模組和如權利要求4至6任一項所述的顯示面板。

8.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一基板；

在所述第一基板一側形成第一金屬層；

在所述第一金屬層的背對所述第一基板的一側依次形成第一絕緣層、半導體層、第二金屬層、第二絕緣層以及像素電極；

在所述第二絕緣層上開設第一過孔，用于電性連接所述第二金屬層與所述像素電極，所述第一金屬層與所述第二金屬層構成第一存儲電容，所述第一金屬層和所述像素電極構成第二存儲電容，

其中，在所述第二絕緣層上開設第一過孔的同時，在所述第二絕緣層、所述第二金屬層以及所述半導體層開設第二過孔，以使所述像素電極延伸至所述第二過孔的孔壁和孔底而與所述第一金屬層構成所述第二存儲電容。