[發明專利]多層結構與其制造方法及對應其的接觸結構

有效

• 申請號: 201611205465.6
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN108242386B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 陳士弘
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種多層結構的制造方法，包括：

形成一疊層(110)于一基板(100)上，該疊層由交替的多個導電層(103、107、111、115、119、123)和多個絕緣層(101、105、109、113、117、121、125)所構成，其中該疊層包括一多層區(Am)及鄰接于該多層區的一接觸區(Ac)；

形成多個第一開口(132)于該接觸區中；

形成一導電連接結構(142)于該疊層上及所述第一開口之中；以及

圖案化該疊層，其中在圖案化該疊層的過程中，該導電連接結構連續性延伸于該接觸區上及所述第一開口中，使所述導電層(103、107、111、115、119、123)維持電性連接。

2.如權利要求1所述的多層結構的制造方法，其中所述第一開口是借由一第一刻蝕工藝(130)所形成，具有不同的深度且垂直延伸至所述導電層上，以暴露多個著陸區(c1、c2、c3、c4、c5、c6)。

3.如權利要求2所述的多層結構的制造方法，其中圖案化該疊層還包括：

借由一第二刻蝕工藝(150)于該多層區形成多個第二開口(152)；以及

借由一第三刻蝕工藝(160)于所述第二開口中形成多個第三開口(162)，其中在該第二刻蝕工藝及該第三刻蝕工藝的期間，該導電連接結構電性連接于該接觸區中的所述導電層。

4.如權利要求1所述的多層結構的制造方法，還包括：

在圖案化該疊層之后，圖案化該接觸區中的該導電連接結構以形成多個接觸結構(172、174、176、178、180、182)。

5.如權利要求4所述的多層結構的制造方法，其中：

在圖案化該疊層之后，形成多個剩余的導電連接結構于該多層區上，所述剩余的導電連接結構與所述接觸結構具有相同的材料。

6.如權利要求1所述的多層結構的制造方法，其中該基板包括對應于該疊層的一疊層區(As)以及鄰接于該疊層區的一延伸區(Ae)。

7.如權利要求6所述的多層結構的制造方法，其中在圖案化該疊層的過程中，該導電連接結構連續性延伸于該接觸區上、所述第一開口中、該延伸區上及該基板中，以電性連接該些導電層及該基板。

8.一種多層結構，包括：

一基板(200)；

一疊層(100)，位于該基板上，該疊層由交替的多個導電層(103、107、113、115、119、123)和多個絕緣層(101、105、109、113、117、121、125)所構成，其中該基板包括對應于該疊層的一疊層區(As)以及鄰接于該疊層區的一延伸區(Ae)，該疊層(100)位于該疊層區(As)內；以及

多個導電連接結構(242’)，位于該延伸區中，其中所述導電連接結構是由該基板的一頂面(200a)垂直延伸于該基板中，且所述導電連接結構具有不同的深度。

9.如權利要求8所述的多層結構，其中位于該延伸區中的各該導電連接結構的深度是大于1000埃(Angstrom)。