[發明專利]基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器

有效

• 申請號: 201611204775.6
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106785917B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 李芳;魏來;周劍心;劉帥
• 申請（專利權）人: 武漢工程大學
• 主分類號: H01S5/34
• 分類號: H01S5/34;G02B5/00
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 唐萬榮

1.一種基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器，其特征在于，包括：半導體納米線(1)、上SiO₂層(2)、MoS₂層(3)、下SiO₂層(4)、金屬納米線(5)以及包裹金屬納米線(5)的SiO₂層(6)，其中：

上SiO₂層(2)和下SiO₂層(4)的橫向中間位置均設置有空氣槽，上SiO₂層(2)和下SiO₂層(4)之間被MoS₂層(3)間隔；半導體納米線(1)位于上SiO₂層(2)之上，并與上SiO₂層(2)橫向中間位置的空氣槽通過兩個交點相連；金屬納米線(5)位于下SiO₂層(4)下方，且包裹在SiO₂層(6)內部，金屬納米線(5)與下SiO₂層(4)橫向中間部分的空氣槽通過一個交點相連。

2.根據權利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器，其特征在于，半導體納米線(1)為通過元素摻雜形成的量子阱結構或超晶格結構，半導體納米線(1)的材料為硫化鎘、氧化鋅、氮化鎵、砷化鎵、硒化鎘、氧化鋅中的任意一種。

3.根據權利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器，其特征在于，半導體納米線(1)的橫截面形狀為正方形、三角形、圓形、六邊形、五邊形、橢圓、梯形中任意一種。

4.根據權利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器，其特征在于，金屬納米線(5)材料為金、銀、鋁、銅、鈦、鎳、鉻中任意一種或幾種的合金。

5.根據權利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器，其特征在于，上SiO₂層(2)、MoS₂層(3)和下SiO₂層(4)組成間隔層，間隔層用于隔開半導體納米線(1)和金屬納米線(5)。

6.根據權利要求5所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器，其特征在于，半導體納米線(1)和金屬納米線(5)表面的等離子激元之間能夠發生耦合，在間隔層中形成亞波長限制的等離子激元雜化振蕩光場。

7.根據權利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器，其特征在于，半導體納米線(1)和金屬納米線(5)的半徑比值在0.8到1.2之間。

8.根據權利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器，其特征在于，上SiO₂層(2)和下SiO₂層的橫向中間的空氣部分的寬度為半導體納米線(1)半徑的0.1到0.4倍。

9.根據權利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器，其特征在于，該激光器的尺寸為納米級。