[發明專利]一種超薄圖像傳感器晶片的磨制方法

在審

• 申請號: 201611203985.3
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106847846A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 陳亞;王成
• 申請（專利權）人: 江蘇正橋影像科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/683;B24B7/22;B24B29/02
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 孟紅梅

1.一種超薄圖像傳感器晶片的磨制方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）將待研磨的圖像傳感器晶片正面貼上單面UV膠藍膜，正面朝下，通過真空吸氣的方式固定在粗磨工站的可自轉多孔承載平臺上；

（2）利用粗磨金剛砂磨輪從圖像傳感器晶片背面對硅基材進行打磨，同時多孔承載平臺帶動圖像傳感器晶片轉動，金剛砂磨輪的推進系統帶動磨輪向下運動，將圖像傳感器晶片厚度磨薄到250~350um；

（3）將粗磨完成后的圖像傳感器晶片移出進行UV曝光，去掉單面UV膠藍膜，再將圖像傳感器晶片正面通過雙面UV膠藍膜貼附到支撐件上，形成組合體，將組合體裝在精磨工站的可自轉多孔承載平臺上；

（4）利用精磨金剛砂磨輪從圖像傳感器晶片背面對硅基材再進行精細打磨，同時多孔承載平臺帶動圖像傳感器晶片轉動，金剛砂磨輪的推進系統帶動磨輪的向下運動，在將晶片從130~180um減薄到90~120um過程中，提高精磨金剛砂磨輪的旋轉速度，并降低金剛砂磨輪的推進系統速度和多孔承載平臺的自轉速度，最終將圖像傳感器晶片厚度磨薄到90~120um；

（5）將組合體轉移到拋光工站對硅基材進行拋光處理；

（6）將組合體轉移到分片工站進行切割；

（7）將切割好的圖像傳感器晶片硅基材面貼上單面UV膠藍膜，并使用UV光照射雙面UV膠藍膜區域后，移除支撐件和雙面UV膠藍膜。

2.根據權利要求1所述的一種超薄圖像傳感器晶片的磨制方法，其特征在于，所述支撐件由高強度鋼化玻璃制成，其厚度為4~6mm，表面強度應力為90~120MPa。

3.根據權利要求1所述的一種超薄圖像傳感器晶片的磨制方法，其特征在于，所述步驟（2）粗磨過程中粗磨金剛砂磨輪的旋轉速度控制在1100~1500轉/分鐘，金剛砂磨輪的推進系統速度控制在5~8um/秒，多孔承載平臺的自轉速度控制在150~250轉/分鐘。

4.根據權利要求1所述的一種超薄圖像傳感器晶片的磨制方法，其特征在于，所述步驟（4）精磨過程采用的磨輪金剛砂粒直徑在0.3um以下。

5.根據權利要求1所述的一種超薄圖像傳感器晶片的磨制方法，其特征在于，所述步驟（4）中，在將晶片從250~350um減薄到130~180um過程中，精磨金剛砂磨輪的旋轉速度控制在1800~2200轉/分鐘，金剛砂磨輪的推進系統速度控制在2~4um/秒，多孔承載平臺的自轉速度控制在100~150轉/分鐘，在將晶片從130~180um減薄到90~120um過程中，精磨金剛砂磨輪的旋轉速度控制在2300~2800轉/分鐘，金剛砂磨輪的推進系統速度控制在0.2~0.5um/秒，多孔承載平臺的自轉速度控制在50~100轉/分鐘。