[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611203951.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107026105B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高橋弘明;藤川和憲;小路丸友則;石田知正;樋口鲇美;藤原直澄;小森香奈;巖畑翔太 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲 |
| 地址: | 日本京都*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其包括:
基板保持單元,將基板保持為水平;
基板旋轉(zhuǎn)單元,使保持于上述基板保持單元的基板以沿鉛直方向的規(guī)定旋轉(zhuǎn)軸線為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn);
處理液供給單元,向保持于上述基板保持單元的基板的表面供給含有水的處理液;
低表面張力液體供給單元,向保持于上述基板保持單元的基板的表面,供給表面張力小于水的低表面張力液體;
液附著位置變更單元,變更從上述低表面張力液體供給單元供給的低表面張力液體在上述基板的表面上的液附著位置;
對(duì)置構(gòu)件,具有與保持于上述基板保持單元的基板的整個(gè)表面對(duì)置的對(duì)置面,
惰性氣體供給單元,具有一個(gè)噴射口,該噴射口從上述對(duì)置面露出,向保持于上述基板保持單元的基板的表面的上述旋轉(zhuǎn)軸線上的位置即旋轉(zhuǎn)中心位置噴射惰性氣體;
升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),在接近保持于上述基板保持單元的基板的下位置和比上述下位置靠上方的上位置之間使上述對(duì)置構(gòu)件在上述鉛直方向上升降,
控制器,控制上述基板旋轉(zhuǎn)單元、上述處理液供給單元、上述低表面張力液體供給單元、上述液附著位置變更單元、上述惰性氣體供給單元以及上述升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),
上述控制器執(zhí)行:
處理液供給工序,從上述處理液供給單元向基板的表面供給處理液,
氣氛遮蔽工序,通過(guò)上述升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使上述對(duì)置構(gòu)件位于上述下位置和上述上位置之間的氣氛遮蔽位置,將上述對(duì)置面和上述基板的表面之間的空間從周圍的氣氛遮蔽;
液膜形成工序,在上述對(duì)置構(gòu)件位于上述氣氛遮蔽位置的狀態(tài)下,從上述惰性氣體供給單元的上述噴射口向上述基板的表面噴射惰性氣體的同時(shí),從上述低表面張力液體供給單元向上述基板的表面供給低表面張力液體而將上述處理液替換為低表面張力液體,由此在上述基板的表面形成上述低表面張力液體的液膜;
開(kāi)口形成工序,在上述對(duì)置構(gòu)件位于上述氣氛遮蔽位置的狀態(tài)下,通過(guò)上述基板旋轉(zhuǎn)單元使上述基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí),從上述惰性氣體供給單元的上述噴射口向上述旋轉(zhuǎn)中心位置噴射惰性氣體,由此在上述低表面張力液體的上述液膜形成從上述旋轉(zhuǎn)中心位置擴(kuò)大的開(kāi)口,
開(kāi)口擴(kuò)大工序,在上述對(duì)置構(gòu)件位于上述氣氛遮蔽位置的狀態(tài)下,通過(guò)上述基板旋轉(zhuǎn)單元使所述基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí),從上述惰性氣體供給單元的上述噴射口向上述旋轉(zhuǎn)中心位置噴射惰性氣體,由此使上述開(kāi)口朝向從上述旋轉(zhuǎn)中心位置遠(yuǎn)離的方向擴(kuò)大,
液附著位置變更工序,使上述低表面張力液體的上述液附著位置對(duì)應(yīng)上述開(kāi)口的擴(kuò)大而變更為除上述旋轉(zhuǎn)中心位置以外的至少兩個(gè)位置,使得上述液附著位置位于比上述開(kāi)口的周緣更靠近外側(cè)的位置,
在上述開(kāi)口形成工序中從上述噴射口向上述旋轉(zhuǎn)中心位置供給的惰性氣體的流量,大于在上述液膜形成工序中從上述噴射口向上述基板的表面供給的惰性氣體的流量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述控制器使上述液附著位置移動(dòng),使得上述開(kāi)口的周緣和上述液附著位置之間的距離保持恒定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
上述低表面張力液體供給單元包括向上述基板的表面噴射低表面張力液體的低表面張力液體噴嘴,
上述液附著位置變更單元包括:與上述低表面張力液體噴嘴連結(jié)的臂和通過(guò)驅(qū)動(dòng)上述臂來(lái)使上述低表面張力液體噴嘴在沿上述基板表面的方向上進(jìn)行移動(dòng)的臂驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),
上述控制器在上述液膜形成工序中,在通過(guò)上述臂驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使上述低表面張力液體噴嘴位于上述對(duì)置面和上述基板之間的狀態(tài)下,從上述低表面張力液體噴嘴噴射上述低表面張力液體,
上述控制器在上述液附著位置變更工序中,通過(guò)上述臂驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使上述低表面張力液體噴嘴移動(dòng)的同時(shí),從上述低表面張力液體噴嘴向上述基板的表面噴射上述低表面張力液體,并以上述低表面張力液體的上述液附著位置對(duì)應(yīng)上述開(kāi)口的擴(kuò)大而變更為除上述旋轉(zhuǎn)中心位置以外的至少兩個(gè)位置的方式通過(guò)上述臂驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使上述低表面張力液體噴嘴移動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
上述低表面張力液體供給單元包括多個(gè)噴嘴,該多個(gè)噴嘴分別配置于離上述旋轉(zhuǎn)中心位置的距離不同的多個(gè)位置,
上述液附著位置變更單元包括供給切換單元,該供給切換單元在將低表面張力液體向上述多個(gè)噴嘴的供給和不供給之間進(jìn)行切換。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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