[發明專利]一種基于Cs2SnI6＆CH3NH3PbI3體異質結的太陽能電池的制備方法

有效

• 申請號: 201611202586.5
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN106653927B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 姜亞南;曹丙強
• 申請（專利權）人: 濟南大學
• 主分類號: H01L31/0745
• 分類號: H01L31/0745;H01L31/18
• 代理公司: 濟南譽豐專利代理事務所(普通合伙企業)37240
• 代理人: 李茜

1.一種基于Cs₂SnI₆&CH₃NH₃PbI₃體異質結的太陽能電池的制備方法，首先采用溶液法制備Cs₂SnI₆粉末，利用SnI₄的乙醇溶液和CsI的DMF溶液反應生長Cs₂SnI₆晶體，具體步驟如下：SnI₄粉末溶解在溫熱乙醇溶液中，CsI粉末溶解在DMF溶液中，將上述溶液混合靜置析出Cs₂SnI₆晶體，過濾干燥備用；

然后將Cs₂SnI₆粉末溶解在CH₃NH₃PbI₃前驅體溶液中，通過旋涂工藝沉積在F摻雜SnO₂透明導電玻璃(FTO)上，獲得黑色光亮且形貌厚度均一的薄膜，具體步驟如下：

(1)將FTO透明導電玻璃切成1.6×1.7cm的基片，然后用堿液超聲清洗30-60min，接著酒精超聲清洗30-60min，最后用蒸餾水超聲清洗10-30min，放入烘干箱干燥以備用；

(2)將PbI₂、CH₃NH₃I粉末按1:1摩爾比溶于二甲基甲酰胺(DMF)中，70℃攪拌5h得前驅體溶液；

(3)在(2)中的前驅體溶液中加入Cs₂SnI₆粉末，室溫攪拌2h得混合溶液；

(4)將(3)所得溶液旋涂在(1)中的FTO透明導電玻璃上，轉速為4000r/min,旋涂時間為30s，100℃退火30min，即得Cs₂SnI₆&CH₃NH₃PbI₃體異質結薄膜；

隨后在該薄膜上旋涂一層電子傳輸材料PCBM，作為電子傳輸層，轉速為2000r/min；再在制備的薄膜表面旋涂一層BCP(浴銅靈)作為電極修飾層；最后在制備的薄膜表面通過真空鍍膜技術蒸鍍背電極Ag，從而得到太陽能電池。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征是：步驟(3)中，所述的Cs₂SnI₆加入量為2.5-15mg。