[發明專利]半導體器件及其形成方法和存儲器件

有效

• 申請號: 201611202250.9
• 申請日: 2016-12-23
• 公開（公告）號: CN107046038B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 張耀文;蔡正原;鄭凱文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L29/51;G11C16/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

具有氧化物-氮化物-氧化物結構的多堆疊介電層，位于所述半導體襯底上；

柵極，位于所述多堆疊介電層上；

導電層，形成在所述柵極上方；

吸氣層，位于所述導電層上，其中，所述吸氣層包括由鈦、鋯、和/或鉿形成的第一層和位于所述第一層上的由氮化鉭形成的第二層；以及

接合焊盤層，形成在所述吸氣層上方，從而所述接合焊盤層電耦合至所述柵極，

其中，所述吸氣層以所述接合焊盤層的最低底面作為最上邊界、以圍繞所述吸氣層的第一介電層作為左右邊界。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述接合焊盤層的相對側壁與所述第一介電層直接接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：源極和漏極，位于所述半導體襯底中并且每一個都橫向鄰近所述柵極。

4.一種形成半導體器件的方法，包括：

提供設置在襯底上的半導體器件，其中，所述半導體器件包括具有氧化物-氮化物-氧化物結構的多堆疊介電層的半導體器件部件；

在所述襯底上方形成導電層，從而使得所述導電層電耦合至所述半導體器件部件；

在所述導電層上方形成吸氣層，其中，所述吸氣層包括由鈦、鋯、和/或鉿形成的第一層和位于所述第一層上的由氮化鉭形成的第二層；以及

在所述吸氣層上方形成互連層，從而使得所述互連層電耦合至所述半導體器件部件，

所述吸氣層以所述互連層的最低底面作為最上邊界、以圍繞所述吸氣層的第一介電層作為左右邊界。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述半導體器件是分離柵金屬-氧化物-氮化物-氧化物-半導體(SG-MONOS)儲存器件。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述半導體器件部件包括以下中的至少一種：所述分離柵金屬-氧化物-氮化物-氧化物-半導體儲存器件的源極部件、所述分離柵金屬-氧化物-氮化物-氧化物-半導體儲存器件的漏極部件、所述分離柵金屬-氧化物-氮化物-氧化物-半導體儲存器件的控制柵極部件、和所述分離柵金屬-氧化物-氮化物-氧化物-半導體儲存器件的選擇部件。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，所述互連層的相對側壁與所述第一介電層直接接觸。

8.根據權利要求4所述的方法，其中，所述吸氣層配置為固定氫和水。

9.根據權利要求4所述的方法，其中，所述吸氣層的第一層包括的厚度，并且所述吸氣層的第二層包括的厚度。

10.根據權利要求4所述的方法，其中，形成所述吸氣層包括物理汽相沉積(PVD)工藝。

11.根據權利要求4所述的方法，其中，所述互連層是接合焊盤層。

12.一種存儲器件，包括：

具有氧化物-氮化物-氧化物結構的多堆疊介電層，位于襯底上；

第一導電層，位于所述多堆疊介電層上；

第二導電層，位于所述第一導電層上；

吸氣層，位于所述第二導電層上，其中，所述吸氣層包括由鈦、鋯、和/或鉿形成的第一層和位于所述第一層上的由氮化鉭形成的第二層；以及

互連層，位于所述吸氣層上方，從而使得所述互連層電耦合至所述第一導電層，

其中，所述吸氣層以所述互連層的最低底面作為最上邊界、以圍繞所述吸氣層的第一介電層作為左右邊界。

13.根據權利要求12所述的存儲器件，其中，所述互連層的相對側壁與所述第一介電層直接接觸。

14.根據權利要求12所述的存儲器件，其中，所述第一導電層為柵極部件。