[發(fā)明專(zhuān)利]一種橫向生長(zhǎng)非晶硅納米線的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611202131.3 | 申請(qǐng)日： | 2016-12-23 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106744673B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李紅姬;沈浩德;李華通;李明吉;李翠平;楊保和 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 天津理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | B82B3/00 | 分類(lèi)號(hào)： | B82B3/00;B82Y40/00;H01G11/86;C23C16/24;C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 天津佳盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 橫向生長(zhǎng) 非晶硅 納米線 制備 硅納米線 超純水 襯底 鎳膜 沉積 應(yīng)用 超級(jí)電容器電極 射頻磁控濺射法 納米電子器件 氫氧化鈉溶液 制備方法工藝 規(guī)模化生產(chǎn) 生產(chǎn)成本低 采用直流 超聲清洗 納米結(jié)構(gòu) 硅襯底 硅片 乙醇 丙酮 放入 基底 刻蝕 取向 催化劑 新能源 噴射 清潔 生長(zhǎng) | ||
1.一種橫向生長(zhǎng)非晶硅納米線的制備方法，其特征在于包括如下步驟；
1)把襯底用濃度為0.1-0.3mol/L的氫氧化鈉溶液在100-300℃刻蝕，然后將襯底依次用超純水、乙醇、丙酮、超純水分別超聲清洗15min；
2)將上述經(jīng)過(guò)刻蝕的襯底作為基底，采用射頻磁控濺射法在襯底上沉積鎳膜，作為硅納米線生長(zhǎng)所需要的催化劑；
3)將上述沉積有鎳膜的襯底放入帶凹槽的樣品靶臺(tái)上，采用直流噴射CVD法制備橫向生長(zhǎng)非晶硅納米線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述橫向生長(zhǎng)非晶硅納米線的制備方法，其特征在于：所述步驟1)中襯底為硅片、鉭片、鉬片或鈦片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述橫向生長(zhǎng)非晶硅納米線的制備方法，其特征在于：所述步驟2)中濺射過(guò)程工藝參數(shù)為；采用純度為99.99％的鎳靶材，真空度不大于1×10-4 Pa ，濺射功率為100-150 W ，Ar氣流量為10sccm，濺射壓強(qiáng)為0.5-1.5Pa，靶基距為5-8cm，襯底不加熱，沉積時(shí)間為30-60s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述橫向生長(zhǎng)非晶硅納米線的制備方法，其特征在于：所述步驟3)中直流噴射CVD法工藝參數(shù)為；氫氣流量為1-2L/min，氬氣流量為1-2L/min，腔壓為3000-5000Pa，泵壓為9000-13000Pa，弧電壓為110-120V，弧電流為80-100A，溫度范圍為850-1000℃，反應(yīng)時(shí)間為10-30min。
5.一種權(quán)利要求1所制備的橫向生長(zhǎng)非晶硅納米線的應(yīng)用，其特征在于：用于納米電子器件和超級(jí)電容器。
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