[發(fā)明專利]真空電弧離子鍍膜方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611201531.2
• 申請日: 2016-12-22
• 公開（公告）號: CN106591785B
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 苗小鋒;汪云程;袁雪花;張志遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國南方航空工業(yè)（集團(tuán)）有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/14;C23C14/54
• 代理公司: 長沙智嶸專利代理事務(wù)所(普通合伙) 43211
• 代理人: 胡亮

1.一種真空電弧離子鍍膜方法，其特征在于，用于對結(jié)構(gòu)復(fù)雜的內(nèi)機(jī)匣焊接組件進(jìn)行真空電弧離子鍍鉻處理，包括以下步驟：

(1)預(yù)處理：待鍍件用金相砂紙打磨后清洗；

(2)裝爐：將待鍍件安裝在鍍膜室內(nèi)的轉(zhuǎn)盤上，鍍膜室抽真空，并對待鍍件加熱，加熱完成后通入氬氣；

(3)離子轟擊：對待鍍件施加轟擊負(fù)偏壓進(jìn)行離子轟擊；

(4)鍍膜：對待鍍件施加負(fù)偏壓180V～250V，調(diào)節(jié)鉻靶弧源的工作電流為80A～110A，鍍鉻10min～30min；降低負(fù)偏壓至120V～180V，鍍鉻10min～30min；繼續(xù)降低負(fù)偏壓至80V～120V，鍍鉻180min～420min，其中，當(dāng)負(fù)偏壓降低至80V～120V后，每鍍鉻60min～180min，提高負(fù)偏壓至350V～450V對待鍍件進(jìn)行離子轟擊；

(5)出爐：將待鍍件從鍍膜室內(nèi)取出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電弧離子鍍膜方法，其特征在于，

所述步驟(2)具體為：將待鍍件安裝在鍍膜室內(nèi)的轉(zhuǎn)盤上，鍍膜室抽真空，當(dāng)鍍膜室的壓力為5×10^-3Pa～8×10^-3Pa時，對待鍍件進(jìn)行加熱，加熱至溫度為200℃～400℃；加熱完成后通入氬氣，使鍍膜室的壓力升高至0.6Pa～1.0Pa。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電弧離子鍍膜方法，其特征在于，

所述步驟(3)中，進(jìn)行離子轟擊的步驟為：施加轟擊負(fù)偏壓960V～1050V，轟擊時間為3min～5min；降低轟擊負(fù)偏壓至700V～900V，引弧啟動鉻靶弧源，轟擊3min～5min；繼續(xù)降低轟擊負(fù)偏壓至500V～700V，轟擊5min～10min；再次降低轟擊負(fù)偏壓至350V～450V，轟擊時間為15min～30min。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空電弧離子鍍膜方法，其特征在于，

所述步驟(3)中，進(jìn)行離子轟擊的步驟為：施加轟擊負(fù)偏壓1000V，轟擊時間為4min；降低轟擊負(fù)偏壓至800V，引弧啟動鉻靶弧源，轟擊4min；繼續(xù)降低轟擊負(fù)偏壓至600V，轟擊8min；再次降低轟擊負(fù)偏壓至400V，轟擊時間為20min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空電弧離子鍍膜方法，其特征在于，

所述步驟(4)具體為：對待鍍件施加負(fù)偏壓200V，調(diào)節(jié)鉻靶弧源的工作電流為90A，鍍鉻15min；降低負(fù)偏壓至150V，鍍鉻15min；繼續(xù)降低負(fù)偏壓至100V，鍍鉻360min，其中，當(dāng)負(fù)偏壓降低至100V后，每鍍鉻90min，提高負(fù)偏壓至400V對待鍍件進(jìn)行離子轟擊，轟擊時間為5min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的真空電弧離子鍍膜方法，其特征在于，

所述步驟(4)中，鍍膜室內(nèi)實(shí)際的鍍膜溫度為300℃～600℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的真空電弧離子鍍膜方法，其特征在于，

所述步驟(4)鍍膜后，待鍍件表面膜層厚度為5μm～10μm。