[發(fā)明專利]一種單芯片霍爾電流傳感器及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611200641.7
• 申請(qǐng)日: 2016-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN106653999A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何云;劉桂芝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海南麟電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L43/06
• 分類號(hào): H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所31219
• 代理人: 余明偉

1.一種單芯片霍爾電流傳感器，其特征在于，所述單芯片霍爾電流傳感器至少包括：

正裝于框架的承載區(qū)的霍爾傳感器芯片，所述霍爾傳感器芯片的焊盤通過金屬連線與框架的第一引腳區(qū)連接；導(dǎo)體電流環(huán)位于所述霍爾傳感器芯片的霍爾感應(yīng)區(qū)域上方，其中，所述導(dǎo)體電流環(huán)為金屬條帶，與所述框架的第二引腳區(qū)連接；所述霍爾傳感器芯片到所述導(dǎo)體電流環(huán)的距離小于所述導(dǎo)體電流環(huán)的寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片霍爾電流傳感器，其特征在于：所述金屬連線為焊線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片霍爾電流傳感器，其特征在于：所述金屬線為金屬條帶。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片霍爾電流傳感器，其特征在于：所述導(dǎo)體電流環(huán)的材質(zhì)為銅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的單芯片霍爾電流傳感器，其特征在于：所述導(dǎo)體電流環(huán)的兩端分別連接所述第二引腳區(qū)的兩個(gè)引腳，作為原邊電流的輸入輸出端。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片霍爾電流傳感器，其特征在于：所述霍爾傳感器芯片通過粘片膠與所述框架的承載區(qū)連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單芯片霍爾電流傳感器，其特征在于：所述霍爾傳感器芯片中的電路結(jié)構(gòu)與所述霍爾感應(yīng)區(qū)域位于同一面。

8.一種如權(quán)利要求1～7任意一項(xiàng)所述的單芯片霍爾電流傳感器的制備方法，其特征在于，所述單芯片霍爾電流傳感器的制備方法包括：

選取框架，所述框架包括引腳區(qū)及承載區(qū)；

將晶圓切割成獨(dú)立的霍爾傳感器芯片，并將所述霍爾傳感器芯片固定于所述框架的承載區(qū)；

制作形成導(dǎo)體電流環(huán)，并采用條帶鍵合工藝將所述導(dǎo)體電流環(huán)與所述框架上的第二引腳區(qū)連接；

對(duì)所述導(dǎo)體電流環(huán)與所述框架的第二引腳區(qū)之間的連接進(jìn)行回流焊和清洗工藝；

將所述霍爾傳感器芯片上的焊盤與所述框架上的第一引腳區(qū)連接；

通過塑封將所述框架、所述霍爾傳感器芯片及所述導(dǎo)體電流環(huán)封裝于一外殼內(nèi)，其中，各引腳引出所述外殼。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單芯片霍爾電流傳感器的制備方法，其特征在于：所述霍爾傳感器芯片上的焊盤與所述框架上的第一引腳區(qū)通過條帶鍵合工藝實(shí)現(xiàn)連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的單芯片霍爾電流傳感器的制備方法，其特征在于：對(duì)所述霍爾傳感器芯片上的焊盤與所述框架上的第一引腳區(qū)之間的連接進(jìn)行回流焊和清洗工藝。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單芯片霍爾電流傳感器的制備方法，其特征在于：所述霍爾傳感器芯片上的焊盤與所述框架上的第一引腳區(qū)通過焊線工藝實(shí)現(xiàn)連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單芯片霍爾電流傳感器的制備方法，其特征在于：對(duì)各引腳進(jìn)行電鍍，并通過切筋成型。