[發明專利]一種低頻增益分段可調的線性均衡器

有效

• 申請號: 201611199226.4
• 申請日: 2016-12-22
• 公開（公告）號: CN106656883B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 段吉海;張秀峰;徐衛林;韋保林
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: H04L25/03
• 分類號: H04L25/03
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

1.一種低頻增益分段可調的線性均衡器，其特征在于：由1個負載網絡和N+1個均衡單元組成；所有N+1個均衡單元中的電路結構相同，其中1個均衡單元為基本粗調均衡單元，其余N個均衡單元為分段細調均衡單元；，基本粗調均衡單元和N個分段細調均衡單元的參數不同；

負載網絡的輸出端von和vop接均衡輸出信號von和vop；

基本粗調均衡單元的輸入端vin和vip接均衡輸入信號vin和vip；基本粗調均衡單元的輸出端von和vop接均衡輸出信號von和vop；

N個分段細調均衡單元的輸入端vin和vip接均衡輸入信號vin和vip；N個分段細調均衡單元的輸出端von和vop接均衡輸出信號von和vop；

基本粗調均衡單元的輸入端vch接基本粗調均衡單元的增益控制信號vch；每個分段細調均衡單元的輸入端vcln分別接第n個增益控制信號vcln；

其中n＝1,2，…，N，N≥1。

2.根據權利要求1所述的一種低頻增益分段可調的線性均衡器，其特征在于：負載網絡包括電感L1-L2和電阻R1-R2；

電感L1和電阻R1串聯，電感L1的另一端接電源，電阻R1的另一端接均衡輸出信號vop；

電感L2和電阻R2串聯，電感L2的另一端接電阻R2，電阻R2的另一端接均衡輸出信號von。

3.根據權利要求1或2所述的一種低頻增益分段可調的線性均衡器，其特征在于：均衡單元包括MOS管M1-M5，反饋電阻R3和反饋電容C1；

MOS管M1的漏極接均衡輸出信號vop，MOS管M1的柵極接均衡輸入信號vin；

MOS管M1的源極、反饋電阻R3的一端、反饋電容C1的一端、MOS管M3的源極和MOS管M4的漏極相接；

MOS管M2的漏極接均衡輸出信號von，MOS管M2的柵極接均衡輸入信號vip；

MOS管M2的源極、反饋電阻R3的另一端、反饋電容C1的另一端、MOS管M3的漏極和MOS管M5的漏極相接；MOS管M3的柵極接增益控制信號vch和vcln；其中n＝1,2，…，N，N≥1；

MOS管M4的源極和MOS管M5的源極接地，MOS管M4的柵極和MOS管M5的柵極接外部偏置電壓Vb。

4.根據權利要求3所述的一種低頻增益分段可調的線性均衡器，其特征在于：MOS管M1-M5為NMOS管。

5.根據權利要求3所述的一種低頻增益分段可調的線性均衡器，其特征在于：

基本粗調均衡單元的差分對放大管即MOS管M1和MOS管M2的寬長比最大，且從第一分段細調均衡單元到第N分段細調均衡單元的差分對放大管即MOS管M1和MOS管M2的寬長比逐漸減小；

基本粗調均衡單元的差分對尾電流管即MOS管M4和MOS管M5的寬長比最大，且從第一分段細調均衡單元到第N分段細調均衡單元的差分對尾電流管即MOS管M4和MOS管M5的寬長比逐漸減小；

基本粗調均衡單元的反饋MOS管M3的寬長比最大，且從第一分段細調均衡單元到第N分段細調均衡單元的反饋MOS管M3的寬長比逐漸減小；

基本粗調均衡單元的反饋反饋電阻R3最小，且從第一分段細調均衡單元到第N分段細調均衡單元的反饋電阻R3逐漸加大；

基本粗調均衡單元的反饋反饋電容C1最小，且從第一分段細調均衡單元到第N分段細調均衡單元的反饋電容C1逐漸加大。