[發(fā)明專利]一種隨機(jī)噪聲電流擾動(dòng)電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611199142.0
• 申請(qǐng)日: 2016-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN108233914A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳飛祥;李宏斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電信科學(xué)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H03K19/003
• 分類號(hào): H03K19/003
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

1.一種隨機(jī)噪聲電流擾動(dòng)電路，其特征在于，包括：翻轉(zhuǎn)狀態(tài)延時(shí)電路、第一反相器和電容器，其中，所述翻轉(zhuǎn)狀態(tài)延時(shí)電路的輸入端連接時(shí)鐘信號(hào)，所述翻轉(zhuǎn)狀態(tài)延時(shí)電路的輸出端連接所述第一反相器的輸入端，所述電容器的一端連接所述第一反相器的輸入端，所述電容器的另一端接地，所述翻轉(zhuǎn)狀態(tài)延時(shí)電路對(duì)所述時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行處理，使每一個(gè)在所述翻轉(zhuǎn)狀態(tài)延時(shí)電路的輸入端的時(shí)鐘信號(hào)翻轉(zhuǎn)狀態(tài)在所述第一反相器的輸入端產(chǎn)生N個(gè)時(shí)鐘信號(hào)翻轉(zhuǎn)狀態(tài)，將所述第一反相器處于翻轉(zhuǎn)狀態(tài)的時(shí)間延長(zhǎng)N倍，N大于等于2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隨機(jī)噪聲電流擾動(dòng)電路，其特征在于，所述翻轉(zhuǎn)狀態(tài)延時(shí)電路包括：N×M個(gè)第二反相器和異或門，其中，所述異或門的第一輸入端和第二輸入端連接時(shí)鐘信號(hào)，所述N×M個(gè)第二反相器以串聯(lián)的方式設(shè)置在所述異或門的第一輸入端，M大于等于1。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的隨機(jī)噪聲電流擾動(dòng)電路，其特征在于，所述隨機(jī)噪聲電流擾動(dòng)電路還包括：用于提高所述第一反相器的輸入端的負(fù)載的MOS電容器，所述MOS電容器的一端連接所述第一反相器的輸入端，所述MOS電容器的另一端接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的隨機(jī)噪聲電流擾動(dòng)電路，其特征在于，所述MOS電容器為NMOS電容器。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的隨機(jī)噪聲電流擾動(dòng)電路，其特征在于，所述異或門包括：第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)，其中，所述第一MOS管(M1)的柵極和所述第二MOS管(M2)的柵極連接時(shí)鐘信號(hào)；

所述第一MOS管(M1)的漏極和第二MOS管(M2)的漏極分別與所述第三MOS管(M3)的漏極連接，所述第三MOS管(M3)的漏極和第四MOS管(M4)的源極連接；

所述第三MOS管(M3)的源極和第四MOS管(M4)的漏極連接作為所述異或門的輸出端；

所述第一MOS管(M1)的源極和所述第四MOS管(M4)的柵極作為所述異或門的第一輸入端；

所述第二MOS管(M2)的源極和所述第三MOS管(M3)的柵極作為所述異或門的第二輸入端。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隨機(jī)噪聲電流擾動(dòng)電路，其特征在于，所述翻轉(zhuǎn)狀態(tài)延時(shí)電路包括：N×P+1個(gè)第三反相器和同或門，其中，所述同或門的第一輸入端和第二輸入端連接時(shí)鐘信號(hào)，所述N×P+1個(gè)第三反相器以串聯(lián)的方式設(shè)置在所述同或門的第一輸入端，P大于等于1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的隨機(jī)噪聲電流擾動(dòng)電路，其特征在于，所述N等于2。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的隨機(jī)噪聲電流擾動(dòng)電路，其特征在于，所述翻轉(zhuǎn)狀態(tài)延時(shí)電路屬于數(shù)字集成電路。