[發(fā)明專利]一種MEMS器件及制備方法、電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611199034.3
• 申請(qǐng)日: 2016-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN108217577B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): B81B7/02
• 分類號(hào): B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種MEMS器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有絕緣層，其中，所述絕緣層邊緣側(cè)壁的梯度平緩；

在所述絕緣層和所述基底上形成振動(dòng)膜，其中，所述振動(dòng)膜包括位于外側(cè)的固定區(qū)域和位于中間的振動(dòng)區(qū)域，所述固定區(qū)域中與所述振動(dòng)區(qū)域相連接的部分呈錐形結(jié)構(gòu)；

在所述振動(dòng)膜的上方形成背板，其中，所述振動(dòng)膜和所述背板之間形成有空腔；

其中，形成所述振動(dòng)膜的方法包括：

在所述基底邊緣上和所述絕緣層上形成第一振動(dòng)膜材料層，以覆蓋所述絕緣層和所述基底；

圖案化所述第一振動(dòng)膜材料層，以去除所述絕緣層側(cè)壁內(nèi)側(cè)的所述第一振動(dòng)膜材料層；

在剩余的所述第一振動(dòng)膜材料層和所述絕緣層上形成第二振動(dòng)膜材料層，以覆蓋所述第一振動(dòng)膜材料層和所述絕緣層；

圖案化所述第二振動(dòng)膜材料層，以去除所述絕緣層側(cè)壁內(nèi)側(cè)的所述第二振動(dòng)膜材料層；

對(duì)所述第二振動(dòng)膜材料層進(jìn)行回流，以在所述絕緣層的側(cè)壁上形成錐形結(jié)構(gòu)；

在所述第二振動(dòng)膜材料層和所述絕緣層上形成第三振動(dòng)膜材料層，以形成具有錐形結(jié)構(gòu)的所述固定區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述絕緣層的步驟包括：

在所述基底上形成絕緣材料層，以覆蓋所述基底；

對(duì)所述絕緣材料層進(jìn)行圖案化，以去除所述基底外側(cè)的所述絕緣材料層；

對(duì)圖案化后的所述絕緣材料層進(jìn)行回流，以得到側(cè)壁的輪廓梯度平緩的所述絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述絕緣層之前所述方法還進(jìn)一步包括在所述基底上形成若干凹槽的步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進(jìn)一步包括：

在所述振動(dòng)膜上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成背板，以覆蓋所述犧牲層；

去除所述振動(dòng)膜和所述背板之間的所述犧牲層，以在所述振動(dòng)膜和所述背板之間形成空腔；

圖案化所述基底的背面，以在所述基底中形成背腔并露出部分所述振動(dòng)膜。

5.一種通過權(quán)利要求1至4之一所述方法制備得到的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述MEMS麥克風(fēng)包括：

基底；

振動(dòng)膜，位于所述基底的上方，其中，所述振動(dòng)膜包括位于外側(cè)的固定區(qū)域和位于中間的振動(dòng)區(qū)域，所述固定區(qū)域中與所述振動(dòng)區(qū)域相連接的部分呈錐形結(jié)構(gòu)，以防止所述振動(dòng)膜的破碎；

背板，位于所述振動(dòng)膜的上方；

空腔，位于所述振動(dòng)膜和所述背板之間。

6.根據(jù)權(quán)利5所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述固定區(qū)域設(shè)置于所述基底上并且與所述基底直接接觸。

7.根據(jù)權(quán)利5所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述固定區(qū)域中與所述基底直接接觸的部位呈方形結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利5所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述基底中形成有背腔，以露出部分所述振動(dòng)膜。

9.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權(quán)利要求5至8之一所述的MEMS器件。