[發(fā)明專利]電容及其形成方法、圖像傳感器電路及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611198711.X
• 申請(qǐng)日: 2016-12-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108231806B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁昕;王沖
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L23/522;H01L29/92;H01L21/77
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種電容的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括凹槽區(qū)和與凹槽區(qū)鄰接的體區(qū)；

在凹槽區(qū)基底中形成第一凹槽結(jié)構(gòu)和位于第一凹槽結(jié)構(gòu)上的第二凹槽結(jié)構(gòu)；

在第一凹槽結(jié)構(gòu)中形成介質(zhì)層和位于介質(zhì)層表面的電極層，所述介質(zhì)層位于第一凹槽結(jié)構(gòu)的側(cè)部表面和底部表面；

形成所述介質(zhì)層和電極層后，形成填充滿所述第二凹槽結(jié)構(gòu)的隔離層；

所述第一凹槽結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一凹槽、以及一個(gè)或者多個(gè)第二凹槽，所述第二凹槽沿著平行于基底頂部表面的方向分別貫穿第一凹槽；

形成所述第一凹槽結(jié)構(gòu)和第二凹槽結(jié)構(gòu)的方法包括：在所述凹槽區(qū)基底中形成初始凹槽結(jié)構(gòu)，初始凹槽結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一初始凹槽、以及一個(gè)或者多個(gè)第二初始凹槽，所述第二初始凹槽沿著平行于基底頂部表面的方向分別貫穿第一初始凹槽；形成所述初始凹槽結(jié)構(gòu)后，在垂直于基底頂部表面的方向上去除部分凹槽區(qū)基底，形成所述第一凹槽結(jié)構(gòu)和第二凹槽結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述初始凹槽結(jié)構(gòu)之前，在所述基底上形成圖形化的掩膜結(jié)構(gòu)，所述圖形化的掩膜結(jié)構(gòu)覆蓋體區(qū)基底且暴露出部分凹槽區(qū)基底；以所述圖形化的掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜刻蝕所述凹槽區(qū)基底，形成所述初始凹槽結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容的形成方法，其特征在于，所述圖形化的掩膜結(jié)構(gòu)包括位于體區(qū)基底和部分凹槽區(qū)基底上的第一掩膜層和位于第一掩膜層上的第二掩膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述第二掩膜層的材料為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，且所述第二掩膜層和材料和第一掩膜層的材料不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容的形成方法，其特征在于，還包括：在去除部分凹槽區(qū)基底的過(guò)程中，去除凹槽區(qū)基底上的第一掩膜層和第二掩膜層、以及體區(qū)基底上的第二掩膜層；形成所述第一凹槽結(jié)構(gòu)和第二凹槽結(jié)構(gòu)后，體區(qū)基底頂部表面具有所述第一掩膜層；形成所述隔離層后，去除所述第一掩膜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容的形成方法，其特征在于，形成所述隔離層的方法包括：在所述第二凹槽結(jié)構(gòu)中、以及第一掩膜層上形成初始隔離層；去除第一掩膜層上的初始隔離層，形成隔離層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容的形成方法，其特征在于，所述隔離層的材料為氧化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容的形成方法，其特征在于，形成所述介質(zhì)層和電極層的方法包括：在所述第一凹槽結(jié)構(gòu)的底部表面和側(cè)壁表面形成介質(zhì)層；在所述基底和介質(zhì)層上形成初始電極層，所述初始電極層位于所述第一凹槽結(jié)構(gòu)和第二凹槽結(jié)構(gòu)中；去除基底上以及第二凹槽結(jié)構(gòu)中的初始電極層，形成電極層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料為氧化硅或氮化硅；所述電極層的材料為多晶硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容的形成方法，其特征在于，還包括：形成貫穿所述隔離層的導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞與所述電極層連接。

11.一種圖像傳感器電路的形成方法，其特征在于，包括：形成電容，所述電容采用權(quán)利要求1至10任意一項(xiàng)所述的電容的形成方法形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像傳感器電路的形成方法，其特征在于，所述基底包括若干體區(qū)，相鄰體區(qū)之間具有所述凹槽區(qū)；所述圖像傳感器電路的形成方法還包括：在所述體區(qū)基底上分別形成體器件，所述隔離層和介質(zhì)層適于隔離相鄰的體器件。