[發明專利]存儲器裝置及其操作方法在審

申請號：	201611198376.3	申請日：	2016-12-22
公開（公告）號：	CN107507644A	公開（公告）日：	2017-12-22
發明（設計）人：	洪俊雄;張坤龍;陳耕暉;羅思覺;謝明志	申請（專利權）人：	旺宏電子股份有限公司
主分類號：	G11C16/10	分類號：	G11C16/10;G11C16/14
代理公司：	中科專利商標代理有限責任公司11021	代理人：	任巖
地址：	中國臺灣新竹***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	存儲器裝置及其操作方法
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【說明書】：

技術領域

本發明是有關于一種存儲器裝置及其操作方法，且特別是有關于一種含有兩種存儲器陣列的存儲器裝置及其操作方法。

背景技術

隨著存儲器技術的發展，各是存儲器不斷推陳出新。舉例來說，動態存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)、閃存(Flash memory)、電子可擦除可編程只讀存儲器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,EEPROM)，靜態存取存儲器(Static Random-Access Memory,SRAM)及只讀存儲器(Read-Only Memory,ROM)已廣泛使用于日常生活。這些存儲器具有不同的特性。相較于需要4～6個晶體管的SRAM，DRAM的優點在于結構簡單。這使得DRAM能夠達到相當高的儲存密度。相對于EEPROM，閃存的一大缺點為擦除單位相當的大。EEPROM則用以儲存相對少量的數據，且能夠個別地以字節為單位進行擦除與編程。

為了達成某種特定的儲存目的，將選擇其中一種存儲器安裝于電子裝置中。然而，由于所選擇的存儲器具有其特定的特定，使得數據的管理受到局限且不具彈性。

發明內容

本發明系有關于一種存儲器裝置及其操作方法。存儲器裝置包括兩種類型的存儲器陣列，且其形成于晶圓的單一存儲器晶粒上。因此，存儲器裝置可以獲得兩種存儲器陣列的優點。

根據本發明的一方面，提供一種存儲器裝置。存儲器裝置包括一第一存儲器陣列、一第一列譯碼器、一第一行譯碼器、一第二存儲器陣列、一第二列譯碼器及一第二行譯碼器。第一存儲器陣列及第二存儲器陣列為不同類型的存儲器，且形成于一晶圓的單一存儲器晶粒上。第一列譯碼器連接至第一存儲器陣列。第一行譯碼器連接至第一存儲器陣列。第一列譯碼器及第一行譯碼器用以存取第一存儲器陣列。第二列譯碼器連接至第二存儲器陣列。第二行譯碼器連接至第二存儲器陣列。第二列譯碼器不同于第一列譯碼器。第二行譯碼器不同于第一行譯碼器。第二列譯碼器及第二行譯碼器用以存取第二存儲器陣列。

根據本發明的另一方面，提出一種存儲器裝置的操作方法。存儲器裝置包括一第一存儲器陣列、一第一列譯碼器、一第一行譯碼器、一第二存儲器陣列、一第二列譯碼器及一第二行譯碼器。第一存儲器陣列及第二存儲器陣列為不同類型的存儲器且形成于一晶圓的單一存儲器晶粒上。第一列譯碼器連接至第一存儲器陣列。第一行譯碼器連接至第一存儲器陣列。第一列譯碼器及第一行譯碼器用以存取第一存儲器陣列。第二列譯碼器連接至第二存儲器陣列。第二行譯碼器連接至第二存儲器陣列。第二列譯碼器不同于第一列譯碼器。第二行譯碼器不同于第一行譯碼器。第二列譯碼器及第二行譯碼器用以存取第二存儲器陣列。操作方法包括以下步驟：編程、擦除或讀取第一存儲器陣列。第一存儲器陣列的編程單位小于第一存儲器陣列的擦除單位。寫入、擦除或讀取第二存儲器陣列。第二存儲器陣列的各個存儲單元被寫入為一編程狀態或一擦除狀態。

為了對本發明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1繪示一晶圓的示意圖。

圖2A～圖2D繪示第一存儲器陣列的單向操作的示例圖。

圖3A～圖3C繪示第二存儲器陣列的雙向操作的示例圖。

圖4繪示存儲器裝置的示意圖。

圖5繪示第一存儲器陣列及第二存儲器陣列。

圖6A說明「讀寫同步」的一實施例。

圖6B說明「讀寫同步」的另一實施例。

圖6C說明「寫同步」的一實施例。

圖7A說明「暫停與回復」的一實施例。

圖7B說明「暫停與回復」的另一實施例。