[發(fā)明專利]一種光透半導(dǎo)體材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611197972.X | 申請(qǐng)日: | 2016-12-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106601592B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 路金蓉;王磊;劉靜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;C23C26/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 王文君 |
| 地址: | 100190 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種光透半導(dǎo)體材料,其特征在于,包括基底和附著于所述基底上的液態(tài)金屬層;所述液態(tài)金屬層上方為氧化鋅片層結(jié)構(gòu);所述液態(tài)金屬層與所述氧化鋅片層結(jié)構(gòu)接觸的表面為一層穩(wěn)定氧化膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光透半導(dǎo)體材料,其特征在于,所述液態(tài)金屬為鎵、鎵銦合金、鎵銦錫合金、鎵銦錫鋅合金中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光透半導(dǎo)體材料,其特征在于,所述液態(tài)金屬為鎵銦二元合金或鎵銦錫三元合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光透半導(dǎo)體材料,其特征在于,所述液態(tài)金屬為鎵銦二元合金,其中,鎵的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)50~90%,其余為銦;或,為鎵銦錫三元合金,其中,鎵的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)60~80%,銦的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)10~30%,其余為錫。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4任意一項(xiàng)所述的光透半導(dǎo)體材料,其特征在于,所述液態(tài)金屬層的厚度為20μm~200μm。
6.一種光透半導(dǎo)體材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)在基底上均勻噴涂液態(tài)金屬層,靜置至所述液態(tài)金屬層的表面形成穩(wěn)定氧化膜,得復(fù)合材料;
(2)將步驟(1)所得復(fù)合材料浸沒(méi)于包含硝酸鋅、六次甲基四胺和水的基液中,充分靜置后取出,即得。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述液態(tài)金屬為鎵、鎵銦合金、鎵銦錫合金、鎵銦錫鋅合金中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述液態(tài)金屬為鎵銦二元合金或鎵銦錫三元合金。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述液態(tài)金屬為鎵銦二元合金,其中,鎵的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)50~90%,其余為銦;或,為鎵銦錫三元合金,其中,鎵的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)60~80%,銦的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)10~30%,其余為錫。
10.根據(jù)權(quán)利要求6~9任意一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述液態(tài)金屬層的厚度為20μm~200μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述基液中,硝酸鋅的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.3~0.5%,六次甲基四胺的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.6~0.8%,余量為去離子水。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,步驟(2)所述充分靜置具體為:在30℃以上條件下靜置1h以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法,其特征在于,步驟(2)所述充分靜置具體為在30~50℃靜止5~8h、在50~80℃靜止3~5h或在80~100℃靜止1~3h。
14.權(quán)利要求6~9、11~13任意一項(xiàng)所述方法制備而成的光透半導(dǎo)體材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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