[發(fā)明專利]非對(duì)稱結(jié)構(gòu)相移光柵及DFB半導(dǎo)體激光器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611197818.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108233172A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭俊守;孫雨舟;王祥忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州旭創(chuàng)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01S5/12 | 分類號(hào): | H01S5/12;H01S5/10 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 215000 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光柵 相移 相移光柵 半導(dǎo)體激光器 非對(duì)稱結(jié)構(gòu) 光柵占空比 激光器 刻蝕 相等 非中心位置 輸出光功率 折射率調(diào)制 光柵周期 非對(duì)稱 光功率 單模 減小 燒孔 申請(qǐng) 鄰近 輸出 | ||
1.一種非對(duì)稱結(jié)構(gòu)相移光柵,其特征在于,所述相移光柵包括位于相移光柵非中心位置的相移結(jié)構(gòu)及位于相移結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一光柵和第二光柵,所述第一光柵和第二光柵的光柵周期相等、且光柵占空比相等或光柵占空比之和等于1,所述第一光柵和第二光柵的長(zhǎng)度不同,第一光柵和第二光柵中鄰近相移結(jié)構(gòu)兩側(cè)的刻蝕深度小于遠(yuǎn)離相移結(jié)構(gòu)兩側(cè)的刻蝕深度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)相移光柵,其特征在于,所述相移結(jié)構(gòu)的相移量為0、λ/4、λ/8、或λ,λ為相移光柵的輸出波長(zhǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)相移光柵,其特征在于,所述第一光柵和第二光柵的占空比為(0,1)范圍內(nèi)的任意值且兩者占空比相等,或第一光柵和第二光柵的占空比分別在(0,0.5)和(0.5,1)范圍且兩者之和等于1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)相移光柵,其特征在于,所述第一光柵和第二光柵的長(zhǎng)度之比滿足1<L1:L2≤3,L1和L2分別為第一光柵和第二光柵的長(zhǎng)度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)相移光柵,其特征在于,所述第一光柵和第二光柵中鄰近相移結(jié)構(gòu)兩側(cè)相同長(zhǎng)度L0的刻蝕深度為H0,第一光柵和第二光柵中遠(yuǎn)離相移結(jié)構(gòu)兩側(cè)的刻蝕深度為H,其中,0<L0 <L2,H0<H。
6.一種DFB半導(dǎo)體激光器,所述DFB半導(dǎo)體激光器包括DFB激光腔及位于DFB激光腔上方和下方的若干外延層,DFB激光腔包括依次設(shè)置的光柵刻蝕阻止層、相移光柵、光柵覆蓋層,其特征在于,所述相移光柵包括位于相移光柵非中心位置的相移結(jié)構(gòu)及位于相移結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一光柵和第二光柵,所述第一光柵和第二光柵的光柵周期相等、且光柵占空比相等或光柵占空比之和等于1,所述第一光柵和第二光柵的長(zhǎng)度不同,第一光柵和第二光柵中鄰近相移結(jié)構(gòu)兩側(cè)的刻蝕深度小于遠(yuǎn)離相移結(jié)構(gòu)兩側(cè)的刻蝕深度,DFB半導(dǎo)體激光器兩端面的輸出功率不相等,以增大DFB半導(dǎo)體激光器的有效輸出光功率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的DFB半導(dǎo)體激光器,其特征在于,所述第一光柵和第二光柵的長(zhǎng)度之比滿足1<L1:L2≤3,L1和L2分別為第一光柵和第二光柵的長(zhǎng)度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的DFB半導(dǎo)體激光器,其特征在于,所述第一光柵和第二光柵中鄰近相移結(jié)構(gòu)兩側(cè)相同長(zhǎng)度L0的刻蝕深度為H0,第一光柵和第二光柵中遠(yuǎn)離相移結(jié)構(gòu)兩側(cè)的刻蝕深度為H,其中,0<L0 <L2,H0<H。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的DFB半導(dǎo)體激光器,其特征在于,所述DFB半導(dǎo)體激光器的兩側(cè)端面均鍍有抗反射膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的DFB半導(dǎo)體激光器,其特征在于,所述DFB半導(dǎo)體激光器為掩埋異質(zhì)結(jié)型激光器或脊波導(dǎo)型激光器。
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