[發明專利]一種響應光譜可調節的光電探測器

有效

• 申請號: 201611197584.1
• 申請日: 2016-12-22
• 公開（公告）號: CN106784056B
• 公開（公告）日: 2018-04-24
• 發明（設計）人: 王琦龍;陳廣甸;翟雨生
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;H01L31/113;B82Y40/00
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙)32249
• 代理人: 唐紹焜

1.一種響應光譜可調節的光電探測器，包括自下而上設置的絕緣襯底(1)、金屬柵極(2)、第一絕緣隔離層(3)以及半導體層(4)，在所述半導體層(4)上兩側分別設有金屬源極(5)和金屬漏極(6)；其特征在于：在所述半導體層(4)上依次設有第二絕緣隔離層(7)及電光晶體覆蓋層(9)；所述第二絕緣隔離層(7)及電光晶體覆蓋層(9)隔離設置于所述金屬源極(5)和金屬漏極(6)之間；在所述第二絕緣隔離層(7)上間隔設置有等離激元金屬納米結構(8)；所述等離激元金屬納米結構(8)上端與所述電光晶體覆蓋層(9)接觸，下端與所述半導體層(4)相接觸；在所述電光晶體覆蓋層(9)上方兩側設置有用于外接電路的透明引出電極。

2.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于：所述半導體層(4)的材料為二氧化鈦、氧化鋅或硅的半導體，或者為石墨烯、過渡金屬硫化物的二維材料。

3.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于：所述等離激元金屬納米結構(8)的形狀為納米球、納米棒、納米三角板、納米盤或納米蝴蝶結陣列。

4.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于：所述等離激元金屬納米結構(8)所采用的金屬材料為金、銀、銅、鋁中的一種或由上述金屬組成的合金。

5.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于：所述電光晶體覆蓋層(9)的材料為磷酸二氫鉀、磷酸二氫銨、鈮酸鋰、鉭酸鋰中的一種或者為介電常數可調節的透明導電氧化物。

6.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于：所述第一絕緣隔離層(3)和第二絕緣隔離層(7)材料為二氧化硅、三氧化二鋁、氮化硅或氟化鎂。

7.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于：所述金屬源漏極材質為金、銀、銅、鉑、鈦、鎳、鈷中的一種或由上述金屬組成的合金。

8.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于：所述金屬柵極(2)材料選用金、銀、銅、鉑、鈦、鎳、鈷中的一種或由上述金屬組成的合金。