[發(fā)明專利]銅蝕刻液組合物

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611197242.X
• 申請(qǐng)日: 2016-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN106906474B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金澀琪;金世訓(xùn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 易案愛富科技有限公司
• 主分類號(hào): C23F1/18
• 分類號(hào): C23F1/18
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 薛琦

本發(fā)明涉及銅蝕刻液組合物，尤其涉及進(jìn)行銅蝕刻時(shí)具有處理量增加及蝕刻均勻性的銅蝕刻液組合物，上述銅蝕刻液組合物包含：第一有機(jī)酸，含有一種以上胺基及一種以上羧酸基；第二有機(jī)酸；胺化合物；過氧化氫；以及磷酸鹽化合物。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于銅或銅合金的蝕刻的銅蝕刻液組合物。

背景技術(shù)

為了在制備半導(dǎo)體封裝基板時(shí)實(shí)現(xiàn)基板的微細(xì)配線化、高密度化、高可靠性，目前在導(dǎo)體的形成方面常用著使用鍍金的半加成法(semi additive process)。

然而，在現(xiàn)有的半加成法的銅蝕刻液組合物的情況下，隨著進(jìn)行蝕刻工序，蝕刻液組合物內(nèi)的金屬含量變高或者工序處理時(shí)間增加，導(dǎo)致蝕刻速度和蝕刻均勻性減少等蝕刻特性變化，因此發(fā)生如銅籽晶層(seed layer)的不均勻的蝕刻及殘?jiān)恼T發(fā)等不良現(xiàn)象。

因此，持續(xù)需要開發(fā)蝕刻均勻性優(yōu)秀且蝕刻特性不隨著處理量及蝕刻時(shí)間的變化的銅蝕刻液組合物。

就半加成法而言，為了去除作為籽晶層的銅鍍金膜而所使用的銅蝕刻液，硫酸/過氧化氫類(日本授權(quán)專利第4430990號(hào))、鹽酸/二價(jià)銅類(日本公開專利第2006-111953號(hào))、鹽酸/一價(jià)鐵類(日本授權(quán)專利第3962239號(hào))公開了銅蝕刻液。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

日本授權(quán)專利第4430990號(hào)(2009年12月25日)

日本公開專利第2006-111953號(hào)(2006年04月27日)

日本授權(quán)專利第3962239號(hào)(2007年05月25日)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供具有優(yōu)秀的銅蝕刻性能并在進(jìn)行銅蝕刻時(shí)處理量增加且具有蝕刻均勻性的銅蝕刻液組合物。

本發(fā)明涉及銅蝕刻液組合物，其包含第一有機(jī)酸，含有一種以上胺基及一種以上羧酸基；第二有機(jī)酸；胺化合物；過氧化氫；以及磷酸鹽化合物。

本發(fā)明的銅蝕刻液組合物可在利用半加成法時(shí)均勻地去除作為籽晶層的銅鍍金，即使處理量和處理時(shí)間增加也不會(huì)導(dǎo)致蝕刻速度、蝕刻均勻性等蝕刻特性的變化，從而具有優(yōu)秀的蝕刻性能。

附圖說明

圖1示出利用本發(fā)明的銅蝕刻液組合物來蝕刻銅之前的半導(dǎo)體器件。

圖2示出利用本發(fā)明的銅蝕刻液組合物來蝕刻銅之后的半導(dǎo)體器件。

附圖標(biāo)記的說明：

100：硅晶片

200：鈦(Ti)籽晶層

300：銅(Cu)籽晶層

400：銅(Cu)金屬層

500：鎳(Ni)金屬層

600：錫球(SD)。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的銅蝕刻液組合物進(jìn)行詳細(xì)說明。以下介紹的附圖是為了使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠充分地理解本發(fā)明的思想而提供的例。因此，本發(fā)明不局限于以下所提出的附圖，而是能夠以其他形態(tài)具體化，并且，以下所提出的附圖可能會(huì)用于明確說明本發(fā)明的思想而有所夸張。并且，在整篇說明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的結(jié)構(gòu)要素。

其中，若沒有其他定義，則所使用的技術(shù)術(shù)語及科學(xué)術(shù)語具有本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的意思，并且在以下的說明及附圖中將省略對(duì)可能不必要地混淆本發(fā)明的主旨的公知功能及結(jié)構(gòu)的說明。