[發明專利]多晶硅薄膜處理方法、薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板有效
| 申請號： | 201611197230.7 | 申請日： | 2016-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN106783582B | 公開（公告）日： | 2020-01-03 |
| 發明（設計）人： | 王威;梁博 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H01L21/306;H01L29/786 |
| 代理公司： | 44280 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 李慶波 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 薄膜 處理 方法 薄膜晶體管 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種多晶硅薄膜的處理方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上依次沉積緩沖層及非晶硅層，所述緩沖層包括是先沉積氮化硅層再沉積二氧化硅層的雙層結構；
在基板上形成表面粗糙的多晶硅薄膜；
在所述多晶硅薄膜的表面采用包括但不限于狹縫式涂布、旋轉涂抹法及噴墨涂布的方法形成保護層，其中所述保護層的材料為聚酰亞胺；
對形成所述保護層的表面粗糙的多晶硅薄膜進行表面化處理，進而形成表面平整的多晶硅薄膜，其中，所述表面化處理包括：
對形成所述保護層的表面粗糙的多晶硅薄膜進行氧氣等離子體處理；
去除氧氣等離子體處理后的所述保護層；
采用氫氟酸對去除所述保護層的表面粗糙的多晶硅層進行刻蝕，進而形成表面平整的多晶硅薄膜。
2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述保護層的厚度范圍為20-1000nm。
3.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括通過權利要求1-2任一項所述的處理方法所獲得的多晶硅薄膜。
4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層為二氧化硅層、氮化硅層或二氧化硅層與氮化硅層的復合層。
5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層的厚度范圍為30nm-100nm。
6.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權利要求3-5任一項所述的薄膜晶體管。
7.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權利要求6所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
