[發(fā)明專利]一種像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611196080.8 | 申請日: | 2016-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN106782318B | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 付杰;陳小川;楊盛際;王磊;高延凱;劉冬妮;岳晗;肖麗;盧鵬程;韓明夫 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3233 | 分類號: | G09G3/3233;G09G3/3266 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 像素 電路 及其 驅(qū)動 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明的實施例提供一種像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,可解決亮點不良的問題,且不會對像素造成損傷。該像素電路中,驅(qū)動模塊分別連接掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線、第一電壓端和熔斷模塊,用于在掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線的控制下,將驅(qū)動電流信號輸出至熔斷模塊;熔斷模塊還連接熔斷控制模塊和發(fā)光模塊,用于在熔斷控制模塊的控制下,使發(fā)光模塊和驅(qū)動模塊的連接斷開;熔斷控制模塊還連接控制線和接地端,用于在控制線輸入信號的控制下,使驅(qū)動模塊輸出至熔斷模塊的驅(qū)動電流信號流向接地端,以使發(fā)光模塊和驅(qū)動模塊的連接斷開;發(fā)光模塊還連接第二電壓端,用于在第二電壓端的控制下,通過驅(qū)動模塊輸出的驅(qū)動電流信號進(jìn)行發(fā)光。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡稱OLED)具有自發(fā)光、對比度高、色域廣、制備工藝簡單、以及易形成柔性結(jié)構(gòu)等優(yōu)點,因此,利用有機(jī)發(fā)光二極管的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。
尤其是主動式矩陣有機(jī)電致發(fā)光二極管(Active Matrix Organic LightEmitting Diode,簡稱AMOLED),其具有無視角限制、制造成本低、應(yīng)答速度快、節(jié)省功耗,而具有極大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
但是,目前的OLED顯示面板,由于在設(shè)計以及工藝穩(wěn)定性等方面的問題,發(fā)生亮點的幾率非常的大,而亮點問題在許多領(lǐng)域的應(yīng)用中,容忍度幾乎為零。
目前解決亮點的方法主要為通過設(shè)備對面板中的亮點進(jìn)行掃描,在確定亮點位置后通過激光切割的方案關(guān)閉像素點。但該方案效率低下且對像素的損傷較高。而且,當(dāng)像素的尺寸降低到納米級時,激光修復(fù)將無法對像素點進(jìn)行修復(fù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種像素電路及其驅(qū)動方法、顯示裝置,可解決亮點不良的問題,且不會對像素造成損傷。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
第一方面,提供一種像素電路,包括驅(qū)動模塊、發(fā)光模塊、熔斷模塊和熔斷控制模塊。
具體的,所述驅(qū)動模塊,分別連接掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線、第一電壓端和熔斷模塊,用于在所述掃描信號線和所述數(shù)據(jù)信號線的控制下,將所述第一電壓端輸入的電壓信號轉(zhuǎn)化為驅(qū)動電流信號,并輸出至所述熔斷模塊。
所述熔斷模塊,還連接所述熔斷控制模塊和所述發(fā)光模塊,用于在所述熔斷控制模塊的控制下,使所述發(fā)光模塊和所述驅(qū)動模塊的連接斷開。
所述熔斷控制模塊,還連接控制線和接地端,用于在所述控制線輸入信號的控制下,使所述驅(qū)動模塊輸出至所述熔斷模塊的驅(qū)動電流信號流向所述接地端,以使所述發(fā)光模塊和所述驅(qū)動模塊的連接斷開。
所述發(fā)光模塊,還連接第二電壓端,用于在所述第二電壓端的控制下,通過所述驅(qū)動模塊輸出的驅(qū)動電流信號進(jìn)行發(fā)光。
可選的,所述驅(qū)動模塊包括第一晶體管、第二晶體管和存儲電容;所述第一晶體管的柵極連接所述掃描信號線,第一極連接所述數(shù)據(jù)信號線,第二極連接所述第二晶體管的柵極;所述第二晶體管的第一極連接所述第一電壓端,第二極連接所述熔斷模塊;所述存儲電容的一端連接所述第二晶體管的柵極,另一端連接所述第二晶體管的第二極,或者,另一端連接所述第二晶體管的第一極。
可選的,所述熔斷模塊包括熔斷元件;所述熔斷元件的一端連接所述驅(qū)動模塊,另一端與所述發(fā)光模塊和所述熔斷控制模塊均連接。
可選的,所述熔斷控制模塊包括第三晶體管;所述第三晶體管的柵極連接所述控制線,第一極連接所述熔斷模塊,第二極連接所述接地端。
可選的,所述發(fā)光模塊包括發(fā)光器件;所述發(fā)光器件的陽極連接所述熔斷模塊,陰極連接所述第二電壓端。
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