[發明專利]有機發光顯示面板及其制作方法

在審

• 申請號: 201611196057.9
• 申請日: 2016-12-22
• 公開（公告）號: CN106783921A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 周星宇;遲世鵬
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/82
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,武岑飛

1.一種有機發光顯示面板，其特征在于，包括：基板以及形成在所述基板上的驅動薄膜晶體管、開關薄膜晶體管、存儲電容、有機發光器件，外部電壓信號經所述開關薄膜晶體管儲存在所述存儲電容中，所述外部電壓信號控制所述驅動薄膜晶體管的導通電流的大小，以控制所述有機發光器件的灰階，所述驅動薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，所述開關薄膜晶體管為金屬氧化物半導體薄膜晶體管。

2.根據權利要求1所述的有機發光顯示面板。其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管為P型低溫多晶硅薄膜晶體管，所述金屬氧化物半導體薄膜晶體管為N型金屬氧化物半導體薄膜晶體管。

3.一種權利要求1或2所述的有機發光顯示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上制作形成多晶硅層和金屬氧化物半導體層；

在基板、多晶硅層和金屬氧化物半導體層上制作形成柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上制作形成第一柵極、第二柵極和第一存儲電容電極；

在多晶硅層的兩端分別制作形成第一源極接觸部和第一漏極接觸部，且在金屬氧化物半導體層的兩端分別制作形成第二源極接觸部和第二漏極接觸部；

在柵極絕緣層、第一柵極、第二柵極和第一存儲電容電極上制作形成層間絕緣層；

在層間絕緣層上制作形成第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極和第二存儲電容電極；所述第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極貫穿層間絕緣層和柵極絕緣層，以分別與對應的第一源極接觸部、第一漏極接觸部、第二源極接觸部和第二漏極接觸部接觸；

在層間絕緣層、第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極和第二存儲電容電極上制作形成平坦層；

在平坦層上制作形成底電極；所述底電極貫穿平坦層，以與第一漏極接觸；

在平坦層和底電極上形成像素限定層，并且在像素限定層中形成暴露底電極的凹槽；

在暴露的底電極上順序形成有機電致發光器件和頂電極。

4.根據權利要求3所述的有機發光顯示面板的制作方法，其特征在于，在基板上制作形成多晶硅層和金屬氧化物半導體層之前，先在基板上制作形成緩沖層。

5.根據權利要求3所述的有機發光顯示面板的制作方法，其特征在于，在制作形成平坦層之前，先在層間絕緣層、第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極和第二存儲電容電極上制作形成鈍化層。

6.根據權利要求3至5中任一項所述的有機發光顯示面板的制作方法，其特征在于，在基板上制作形成多晶硅層和金屬氧化物半導體層的方法包括步驟：

在基板上沉積非晶硅層；

以退火方式使非晶硅層再結晶，從而形成多晶硅層；

在基板上沉積與所述多晶硅層分隔開的金屬氧化物半導體層。

7.根據權利要求3至5中任一項所述的有機發光顯示面板的制作方法，其特征在于，在基板、多晶硅層和金屬氧化物半導體層上制作形成柵極絕緣層之后，對柵極絕緣層的與多晶硅層相對的部分或柵極絕緣層的與金屬氧化物半導體層相對的部分進行減薄。

8.根據權利要求3至5中任一項所述的有機發光顯示面板的制作方法，其特征在于，在柵極絕緣層上制作形成第一柵極、第二柵極和第一存儲電容電極的方法包括步驟：

在柵極絕緣層上沉積柵極金屬層；

在柵極金屬層上涂布光阻；

對光阻進行曝光、顯影，以去除將要形成的第一柵極、第二柵極和第一存儲電容電極上的光阻以外的光阻；

將暴露出的柵極金屬層刻蝕去除。

9.根據權利要求8所述的有機發光顯示面板的制作方法，其特征在于，制作形成第一源極接觸部、第一漏極接觸部、第二源極接觸部和第二漏極接觸部的方法包括步驟：

對多晶硅層的兩端和金屬氧化物半導體層的兩端分別進行離子注入；

去除第一柵極、第二柵極和第一存儲電容電極上的光阻；

對離子注入后的多晶硅層和金屬氧化物半導體層進行加熱活化，從而在多晶硅層的兩端分別形成第一源極接觸部和第一漏極接觸部，且在金屬氧化物半導體層的兩端分別形成第二源極接觸部和第二漏極接觸部。

10.根據權利要求9所述的有機發光顯示面板的制作方法，其特征在于，在對多晶硅層的兩端和金屬氧化物半導體層的兩端分別進行離子注入的步驟中，采用的離子為硼離子。