[發明專利]半導體器件及其制造方法在審
| 申請號： | 201611195995.7 | 申請日： | 2016-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN107039376A | 公開（公告）日： | 2017-08-11 |
| 發明（設計）人： | 黃義鈞;姚志翔;鄭價言 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于制造半導體器件的方法，包括：
在襯底上方形成第一介電層；
在所述第一介電層中形成第一多個凹槽；
在所述第一多個凹槽中形成金屬層；
對所述金屬層執行平坦化操作，從而多個金屬布線形成在所述第一多個凹槽中；
在所述第一介電層中形成第二多個凹槽；
在所述多個金屬布線上方和在所述第二多個凹槽中形成第二介電層；
在所述第一介電層和所述第二介電層中形成第三多個凹槽；以及
在所述多個金屬布線上方和所述第三多個凹槽中形成第三介電層。
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