[發(fā)明專利]功率放大電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611195475.6
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN107171648A
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發(fā)明（設計）人: 阿部敬之;佐藤潤二
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H03F3/21
• 分類號: H03F3/21;H03F3/45
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 邸萬奎

1.功率放大電路，包括：

輸入電路，被輸入具有第1相位的第1輸入信號和具有反轉(zhuǎn)了所述第1相位的第2相位的第2輸入信號；

第1晶體管，源極上被供給第1電壓，以柵極從所述輸入電路接受所述第1輸入信號；

第2晶體管，源極上被供給所述第1電壓，以柵極從所述輸入電路接受所述第2輸入信號；

第1中和電路，連接在所述第2晶體管的柵極和所述第1晶體管的漏極之間，對寄生元件進行中和；

第2中和電路，連接在所述第1晶體管的柵極和所述第2晶體管的漏極之間，對寄生元件進行中和；

N個第3晶體管，級聯(lián)連接到所述第1晶體管的漏極；

N個第4晶體管，級聯(lián)連接到所述第2晶體管的漏極；以及

輸出電路，與第N的所述第3晶體管的漏極和第N的所述第4晶體管的漏極連接，輸出具有第3相位的第1輸出信號和具有反轉(zhuǎn)了所述第3相位的第4相位的第2輸出信號，

其中，N為1以上的整數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的功率放大電路，

所述第1中和電路和所述第2中和電路分別具有電容器。

3.如權(quán)利要求2所述的功率放大電路，

所述第1中和電路和所述第2中和電路分別具有串聯(lián)連接到所述電容器的電阻。

4.如權(quán)利要求1至3的任意一項所述的功率放大電路，還包括：

分別連接到所述N個第3晶體管的N個第1電感器；以及

分別連接到所述N個第4晶體管的N個第2電感器，

所述N個第3晶體管之中第i的第3晶體管的柵極上，被供給彼此不同的N組偏置電壓之中第i偏置電壓，

所述N個第4晶體管之中與所述第i的第3晶體管形成對的第i的第4晶體管的柵極上，被供給所述第i偏置電壓，

所述N個第1電感器之中第i的第1電感器的一個端子連接到所述第i的第3晶體管的柵極，從另一個端子被供給所述第i偏置電壓，

所述N個第2電感器之中第i的第2電感器的一個端子連接到所述第i的第4晶體管的柵極，從另一個端子被供給所述第i偏置電壓，

其中，i為1以上、N以下的整數(shù)。

5.如權(quán)利要求1至3的任意一項所述的功率放大電路，

所述N個第3晶體管之中第i的第3晶體管的柵極上，被供給彼此不同的N組偏置電壓之中第i偏置電壓，

所述N個第4晶體管之中與所述第i的第3晶體管形成對的第i的第4晶體管的柵極上，被供給所述第i偏置電壓，

還包括：

比較器，具有第1輸入端子和第2輸入端子及一個輸出端子，對所述第i的第3晶體管及所述第i的第4晶體管的至少一個晶體管供給所述第i偏置電壓；

電容器，具有第1連接端子和第2連接端子，所述第1連接端子連接到所述第1輸入端子，所述第2連接端子被供給所述第1電壓；以及

電阻，連接在所述第1輸入端子和所述至少一個晶體管的源極之間，

所述比較器對所述第2輸入端子供給參考電壓，控制所述第i偏置電壓，使得所述至少一個晶體管的源極的電壓和所述第1電壓之差與所述參考電壓相等，

其中，i為1以上、N以下的整數(shù)。