[發明專利]一種Ni3Al基合金考慮位錯演化的物理本構模型的建立方法有效
| 申請號: | 201611195224.8 | 申請日: | 2016-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN106769465B | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發明(設計)人: | 張宏建;肖健峰;崔海濤;溫衛東 | 申請(專利權)人: | 南京航空航天大學 |
| 主分類號: | G01N3/08 | 分類號: | G01N3/08;G01N23/04;G01N23/2251;G01N33/204 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 張耀文 |
| 地址: | 210016 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 合金 基合金 位錯 模型參數 應變率 透射電子顯微鏡觀測 掃描電子顯微鏡 晶粒生長方向 力學性能試驗 材料參數 單向拉伸 工程設計 建立模型 拉伸試驗 力學性能 模擬驗證 模型建立 模型驗證 微觀試驗 運動理論 重要意義 拉伸 下沿 單調 疲勞 跳躍 試驗 預測 研究 | ||
1.一種Ni3Al基合金考慮位錯演化的物理本構模型建立方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一、對Ni3Al基合金IC10在300K和973K下沿晶粒生長方向開展單調拉伸試驗,分別獲取其在300K和973K兩個溫度下的單調拉伸力學性能,根據初始屈服強度確定材料參數c3和c4;
步驟二、對IC10合金在300K和973K下開展應變率跳躍試驗,獲取其熱激活體積,確定模型中的材料參數c1和c2;
步驟三、運用掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡獲取IC10合金的微觀結構觀測圖,運用圖形測量工具測得973K下變形過程中晶體內部不同應變下的位錯密度,確定模型中的參數θf、和這三個參數共同決定了IC10變形過程中的位錯密度演變規律;
步驟四、基于晶體位錯運動理論,結合IC10合金的微觀觀測結果,建立其考慮位錯演化的物理本構模型,包括如下步驟:
(4-1)根據晶體塑型理論,應力率由如下公式表示:
式中,是以初始構形為基礎的柯西應力張量的Jaumann導數,D為變形率張量,N為變形過程中開啟滑移系的總數目,此處默認只有八面體滑移系開啟,N=12,EMT表示瞬時彈性模量,Pα和Bα分別定義如下:
Bα=Wασ+σWα
式中,σ是柯西應力張量,和分別表示變形后晶體滑移系的滑移方向和滑移法向;
(4-2)本構模型中流動法則的建立:
任一滑移系上的剪切變形率由下式表示:
式中,b是Burgers矢量,ρme和ρms分別表示變形過程中晶體內部刃型位錯密度和螺型位錯密度;和分別表示刃型位錯和螺型位錯的運動速度,α表示當前滑移系統;λα是位錯的跳躍寬度,與晶體內部的林位錯密度相關,c1為材料常數;Qslip是熱激活能,Vα是激活體積,Vα=c2b2λα,c2是材料常數;KB是波爾茲曼常數,θ是溫度,v0是嘗試頻率;τα、和分別表示滑移系α上的分切應力、刃型可動位錯的切割力和螺型可動位錯的切割力;其中,τα和的具體表達式見硬化法則部分;
(4-3)本構模型中硬化法則的建立
τα=σα:P(α)
式中,c3-c7為材料常數;μ是材料的剪切剛度;是材料變形過程內部的平行位錯密度;fp,s是平行位錯密度中刃型特點位錯的占比;ρα、和分別表示材料變形過程中總的位錯密度、刃型位錯密度和螺型位錯密度;feα是總位錯密度中刃型位錯密度的占比,和是feα的初始值和漸進值,θf是表征feα變化的系數;d1是Ni3Al基合金強化項的尺寸;klock和kunlock是材料變形過程中KW鎖的解鎖系數和加鎖系數,Hl和Hu是分別與之對應的熱力學過程的焓值,L0是位錯發生加鎖過程的激活長度,Ls兩段位錯發生解鎖過程的臨界距離。
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