[發明專利]釹鐵硼磁粉的制備方法

在審

• 申請號: 201611192973.5
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106847456A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 孫良成;李慧;魯飛;陳蓓新;劉樹峰;張剛;邢正茂;白洋;王峰;李靜雅;鄭天倉;劉小魚
• 申請（專利權）人: 包頭稀土研究院;瑞科稀土冶金及功能材料國家工程研究中心有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 北京康盛知識產權代理有限公司11331
• 代理人: 張良

技術領域

本發明涉及一種稀土永磁材料制備技術，具體說，涉及一種釹鐵硼磁粉的制備方法。

背景技術

釹鐵硼永磁材料是我國稀土行業最為關注的稀土應用產業，隨著科學技術的發展和技術的進步對高性能釹鐵硼永磁材料的需求日益廣泛。眾所周知，為了提高磁體矯頑力，通常采用加入少量重稀土元素(如Dy、Tb等)或細化磁體晶粒、控制晶粒形貌等方法。

為了達到細化磁體晶粒的目的，通常采用在磁體成分中加入微量的W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr、Ga等元素抑制磁體晶粒的長大，但此類元素在磁體中會發生偏析等不均勻分布，對晶粒長大的抑制效果有限，加入量過高則會對磁體性能產生嚴重的影響。

發明內容

本發明所解決的技術問題是提供一種釹鐵硼磁粉的制備方法，制備的釹鐵硼磁粉進行燒結制備釹鐵硼磁體矯頑力高，剩磁和磁能積優異。

技術方案如下：

一種釹鐵硼磁粉的制備方法，包括：

選擇所需高熔質靶材，將釹鐵硼磁粉和高熔質靶材分別置于物理氣相沉積裝置內；

開啟物理氣相沉積裝置，采用物理氣相沉積將高熔質粒子沉積在分散的釹鐵硼磁粉上；

停止物理氣相沉積，待釹鐵硼磁粉溫度降至室溫后，取出磁粉。

進一步：釹鐵硼磁粉的粒度為1μm～2mm。

進一步：釹鐵硼磁體經機械破碎、氫破碎或氣流磨破碎制備釹鐵硼磁粉。

進一步：采用物理氣相沉積時，抽真空至真空度高于2.0×10^-2Pa，使釹鐵硼磁粉均勻分散，同時對釹鐵硼磁粉加熱，加熱溫度300～500℃。

進一步：抽真空后，充入惰性氣體至0.2～1.0Pa，惰性氣體采用氬氣或者氦氣。

進一步：物理氣相沉積采用磁控濺射沉積、離子鍍沉積和蒸發源沉積。

進一步：高熔質粒子沉積速率為0.01～50μm/min。

進一步：高熔質粒子為W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga元素的粒子。

進一步：高熔質靶材采用元素W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga中至少一種元素的純金屬、合金或氧化物。

與現有技術相比，本發明技術效果包括：

采用本發明物理氣相沉積法包覆制備的釹鐵硼磁粉，進而燒結制備釹鐵硼磁體，微量元素添加量少，磁體晶粒細小，可使釹鐵硼磁體矯頑力顯著提高，同時保證其他磁性能較高，還可大幅降低重稀土元素使用量或不使用重稀土元素，降低釹鐵硼磁體制造成本。

具體實施方式

下面參考示例實施方式，對本發明技術方案作詳細描述。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應被理解為限于在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本發明更全面和完整，并將示例實施方式的構思全面地傳達給本領域的技術人員。

釹鐵硼磁粉的制備方法，具體包括如下步驟：

步驟1：制備1μm～2mm的釹鐵硼磁粉；

熔煉、鑄造后釹鐵硼磁體經機械破碎，或氫破碎，或氣流磨破碎制備釹鐵硼磁粉。

步驟2：選擇所需高熔質靶材，將釹鐵硼磁粉和高熔質靶材分別置于物理氣相沉積裝置內；

高熔質靶材為W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr、Ga中至少一種純金屬、合金或氧化物。

步驟3：抽真空至真空度高于2.0×10^-2Pa，充入氬氣至0.2～1.0Pa；

步驟4：調節參數，使釹鐵硼磁粉均勻分散，同時對釹鐵硼磁粉加熱，加熱溫度300～500℃；

步驟5：開啟物理氣相沉積裝置，采用物理氣相沉積將高熔質粒子沉積在分散的釹鐵硼磁粉上；

物理氣相沉積包括磁控濺射沉積，離子鍍沉積和蒸發源沉積。高熔質粒子沉積速率為0.01～50μm/min。高熔質粒子為W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga元素粒子。

步驟6：停止物理氣相沉積，待釹鐵硼磁粉溫度降至室溫后，取出磁粉。

實施例1：

一種釹鐵硼磁粉的制備方法，具體包括如下步驟：

(1)配料、熔煉、速凝鑄片、盤磨破碎、球磨制粉，獲得平均粒度為3.5μm的釹鐵硼磁粉；

(2)將所得磁粉進行物理氣相沉積包覆。