[發(fā)明專利]制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611192971.6
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106783130B
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李靜雅;孫良成;李慧;魯飛;劉樹峰;張志宏;邢正茂;陳蓓新;白洋;劉小魚
• 申請（專利權(quán)）人: 包頭稀土研究院;瑞科稀土冶金及功能材料國家工程研究中心有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08;B22F9/04;B22F3/02;B22F3/10
• 代理公司: 北京康盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11331
• 代理人: 張良

1.一種制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，包括：

配料、熔煉、速凝鑄片、粗破碎，制取釹鐵硼粗粉，采用物理氣相沉積方法將微量重稀土粒子或者高熔質(zhì)粒子沉積在釹鐵硼粗粉上，重稀土粒子為Dy或者Tb，高熔質(zhì)粒子為W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga；物理氣相沉積中，采用惰性氣氛，抽真空至真空度高于2.0×10^-2Pa，充入氬氣至0.2～1.0Pa；溫度為300～500℃，沉積速率為0.01～50μm/min，釹鐵硼粗粉的粒度為10μm～2mm；

進(jìn)行細(xì)化制粉、取向成型、燒結(jié)制備釹鐵硼磁體。

2.如權(quán)利要求1所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于：粗破碎為機(jī)械粉碎或氫碎。

3.如權(quán)利要求1所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于：惰性氣氛采用氬氣、氦氣或真空。

4.如權(quán)利要求1所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于：物理氣相沉積采用磁控濺射沉積、離子鍍沉積或蒸發(fā)源沉積。

5.如權(quán)利要求1～4任一項所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，沉積重稀土粒子時，包括：

配料、熔煉、速凝鑄片、粗破碎，制取釹鐵硼粗粉；釹鐵硼粗粉的粒度為10μm～2mm，粗破碎為機(jī)械破碎或氫碎；

選擇所需重稀土靶材，重稀土靶材選用Dy或者Tb中至少一種元素的純金屬、合金或氧化物；將釹鐵硼粗粉和重稀土靶材分別置于物理氣相沉積裝置內(nèi)；抽真空至真空度高于2.0×10^-2Pa，充入氬氣至0.2～1.0Pa；調(diào)節(jié)參數(shù)，使釹鐵硼粗粉均勻分散，同時加熱至300～500℃；

開啟物理氣相沉積裝置，將靶材粒子沉積在分散的釹鐵硼粗粉上，粒子沉積速率為0.01～50μm/min；

停止物理氣相沉積，待釹鐵硼粗粉溫度降至室溫后取出；

將所得的釹鐵硼粗粉進(jìn)行細(xì)化制粉、取向壓制成型、真空燒結(jié)、回火處理，獲得最終釹鐵硼磁體。

6.如權(quán)利要求1～4任一項所述制備低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，沉積高熔質(zhì)粒子時，包括：

配料、熔煉、速凝鑄片、粗破碎，制取釹鐵硼粗粉；釹鐵硼粗粉的粒度為10μm～2mm，粗破碎采用機(jī)械破碎或氫碎；

選擇所需高熔質(zhì)靶材，高熔質(zhì)靶材采用W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga中至少一種元素的純金屬、合金或氧化物；將釹鐵硼粗粉和高熔質(zhì)靶材分別置于物理氣相沉積裝置內(nèi)；

抽真空至真空度高于2.0×10^-2Pa，充入氬氣至0.2～1.0Pa；調(diào)節(jié)參數(shù)，使釹鐵硼粗粉均勻分散，同時加至度300～500℃；

開啟物理氣相沉積裝置，將靶材粒子沉積在分散的釹鐵硼粗粉上；粒子沉積速率為0.01～50μm/min；

停止物理氣相沉積，待釹鐵硼粗粉溫度降至室溫后取出；

將所得的釹鐵硼粗粉進(jìn)行細(xì)化制粉、取向壓制成型、真空燒結(jié)、回火處理，獲得最終釹鐵硼磁體。