[發明專利]先封后蝕電鍍銅柱導通三維封裝結構的工藝方法

在審

• 申請號: 201611192921.8
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106601627A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 孔海申;林煜斌;沈錦新;梁新夫;周青云
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所(普通合伙)32210
• 代理人: 周彩鈞

1.一種先封后蝕電鍍銅柱導通三維封裝結構的工藝方法，其特征在于所述方法包括以下步驟：

步驟一、取金屬載體

步驟二、金屬載體表面預鍍銅層

步驟三、電鍍金屬外引腳

在金屬載體正面通過電鍍形成金屬外引腳；

步驟四、環氧樹脂塑封

將金屬外引腳外圍區域利用環氧樹脂材料進行塑封保護，并通過表面研磨使金屬外引腳頂端露出塑封料表面；

步驟五、電鍍金屬線路層

在步驟四的塑封料表面通過電鍍形成金屬線路層；

步驟六、電鍍導電金屬柱

在金屬線路層表面通過電鍍形成導電金屬柱；

步驟七、貼裝芯片

在金屬線路層表面貼裝芯片；

步驟八、塑封

將金屬線路層、導電金屬柱和芯片外圍區域采用塑封料進行塑封，并通過表面研磨使導電金屬柱頂端露出塑封料表面；

步驟九、無源器件貼裝

在步驟八露出的導電金屬柱頂端貼裝無源器件；

步驟十、塑封

將無源器件外圍區域采用塑封料進行塑封；

步驟十一、載體蝕刻開窗

在金屬載體背面進行蝕刻開窗，使外引腳背面露出；

步驟十二、電鍍抗氧化金屬層

在露出的金屬外引腳背面通過電鍍形成抗氧化金屬層；

步驟十三、切割成品

將步驟十二完成電鍍抗氧化金屬層的半成品進行切割作業，使原本以陣列式集合體方式集成在一起的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得先封后蝕電鍍銅柱導通三維封裝結構成品。

2.根據權利要求1所述的一種先封后蝕電鍍銅柱導通三維封裝結構的工藝方法，其特征在于：步驟二中的銅層厚度在2~10微米。

3.根據權利要求1所述的一種先封后蝕電鍍銅柱導通三維封裝結構的工藝方法，其特征在于：步驟二中銅層的制備方式是化學沉積、電沉積或者氣相沉積。

4.根據權利要求1所述的一種先封后蝕電鍍銅柱導通三維封裝結構的工藝方法，其特征在于：所述金屬外引腳和金屬線路層的材料是銅、鋁或鎳，所述抗氧化金屬層的材料采用金、鎳金、鎳鈀金或錫。

5.根據權利要求1所述的一種先封后蝕電鍍銅柱導通三維封裝結構的工藝方法，其特征在于：塑封方式采用模具灌膠方式、噴涂設備噴涂方式、貼膜方式或是刷膠的方式。

6.一種先封后蝕電鍍銅柱導通三維封裝結構，其特征在于：它包括金屬線路層（7），所述金屬線路層（7）正面設置有導電金屬柱（9），所述金屬線路層（7）背面設置有金屬外引腳（5），所述金屬外引腳（5）外圍區域包封有預包封料（4），所述金屬線路層（7）上設置有芯片，所述金屬線路層（7）、導電金屬柱（9）和芯片的外圍區域包封有第一塑封料（10），所述導電金屬柱（9）頂端露出第一塑封料（10），所述導電金屬柱（9）頂端設置有第一無源器件（12），所述第一無源器件（12）外圍區域包封有第二塑封料（13）。

7.根據權利要求6所述的一種先封后蝕電鍍銅柱導通三維封裝結構，其特征在于：所述芯片一側設置有第二無源器件（16）。

8.根據權利要求6所述的一種先封后蝕電鍍銅柱導通三維封裝結構，其特征在于：所述芯片有多個。