[發明專利]一種多通道DDR交織控制方法及裝置

有效

• 申請號: 201611192741.X
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN108228492B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 陳哲;李正衛
• 申請（專利權）人: 深圳市中興微電子技術有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

本發明公開了一種多通道DDR交織控制方法及裝置，其中，所述方法包括：接收主機發送的寫數據和第一寫地址；根據預先設置的交織控制配置信息，確定所述第一寫地址對應的第二寫地址和所述第一寫地址對應的從機的標識信息；根據所述從機的標識信息，將所述寫數據和所述第二寫地址發送給所述從機；接收所述從機發送的寫反饋消息，其中，所述寫反饋消息用于表征所述寫數據是否寫成功；將所述寫反饋消息發送給所述主機。

技術領域

本發明涉及存儲技術領域，尤其涉及一種多通道DDR交織控制方法及裝置。

背景技術

現在的芯片一般都集成了中央處理器(Central Processor Unit，CPU)、直接存儲器訪問(Direct Memory Access，DMA)、總線互聯、存儲器、高速外設和低速外設等組件。隨著集成電路工藝的不斷提高，芯片的運行頻率和性能要求也越來越高，芯片需要的帶寬也越來越大，因此常規的雙倍速率同步動態隨機存儲器(Double Data Rate SynchronousDynamic Random Access Memory，DDR SDRAM)子系統已經無法滿足系統高帶寬的需求，越來越多的片上系統(System On Chip，SoC)采用雙(多)通道DDR作為動態存儲的解決方案，與傳統單通道DDR相比具有理論帶寬高、傳輸效率高等特點。

目前實現多通道DDR存儲系統的數據流多使用的片上網絡(Network On Chip，NOC)產品進行傳輸交織控制，該產品具有參數豐富可配置、命令調度能力強等特點，但也存在授權費用高、命令延遲大、面積大、交織方式固定等缺點。

發明內容

為解決現有存在的技術問題，本發明實施例提供一種多通道DDR交織控制方法及裝置，解決了現有技術中多通道DDR存儲器交織控制裝置延遲大、面積、交織方式固定的問題，達到了延遲小、面積小、交織方式靈活可配置、功耗低的技術效果。

為達到上述目的，本發明實施例的技術方案是這樣實現的：

第一方面，本發明實施例提供一種多通道DDR交織控制方法，所述方法包括：

接收主機發送的寫數據和第一寫地址；其中，所述主機為總線互聯模塊；

根據預先設置的交織控制配置信息，確定所述第一寫地址對應的第二寫地址和所述第一寫地址對應的從機的標識信息；

根據所述從機的標識信息，將所述寫數據和所述第二寫地址發送給所述從機；其中，所述從機為DDR控制器；

接收所述從機發送的寫反饋消息，其中，所述寫反饋消息用于表征所述寫數據是否寫成功；

將所述寫反饋消息發送給所述主機。

第二方面，本發明實施例提供一種多通道DDR交織控制方法，所述方法包括：

接收主機發送的第一讀地址；

根據預先設置的交織控制配置信息，確定所述第一讀地址對應的第二讀地址和所述第一讀地址對應的第一從機的標識信息；

根據所述第一從機的標識信息，將所述第二讀地址發送給第一從機；

接收所述第一從機發送的第一讀數據和第一讀響應消息；

將所述第一讀數據和第一讀響應消息發送給所述主機。

第三方面，本發明實施例提供一種多通道DDR交織控制裝置，所述裝置包括：

第一接收模塊，用于接收主機發送的寫數據和第一寫地址；其中，所述主機為總線互聯模塊；

第一確定模塊，用于根據預先設置的交織控制配置信息，確定所述第一寫地址對應的第二寫地址和所述第一寫地址對應的從機的標識信息；