[發(fā)明專(zhuān)利]有源層的制作方法、氧化物薄膜晶體管及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611192417.8
• 申請(qǐng)日: 2016-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106856173A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖鵬;陳國(guó)杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/467
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/467;H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 周修文

1.一種有源層的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板上沉積氧化物薄膜，并對(duì)所述氧化物薄膜進(jìn)行圖形化處理獲得氧化物層；

在基板上制作覆蓋于所述氧化物層上的光刻膠層，并對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行圖形化處理使所述氧化物層露出溝道區(qū)；

將所述基板置于電解液中，所述基板作為陽(yáng)極，采用金屬Pt作為陰極，對(duì)所述基板進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，所述溝道區(qū)上氧化物層經(jīng)陽(yáng)極氧化后形成有源層；

將基板取出，去除光刻膠層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源層的制作方法，其特征在于，所述對(duì)基板進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理的步驟采用先恒流氧化后恒壓氧化的方法，恒定電流密度為0.1mA/cm²～0.5mA/cm²，恒定電壓為20V～50V。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源層的制作方法，其特征在于，所述恒定電流密度為0.15mA/cm²，所述恒定電壓為50V。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源層的制作方法，其特征在于，所述先恒流氧化后恒壓氧化的方法具體為：先施加恒定電流，陽(yáng)極和陰極之間的電壓將隨時(shí)間線性升高，當(dāng)電壓升高到恒定電壓時(shí)，將該電壓恒定維持30min～40min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源層的制作方法，其特征在于，所述有源層的載流子濃度調(diào)控范圍為10¹⁶cm^-3～10²⁰cm^-3。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的有源層的制作方法，其特征在于，采用物理氣相沉積或溶液加工的方法在基板上沉積氧化物薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的有源層的制作方法，其特征在于，所述氧化物層的厚度為10nm～200nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的有源層的制作方法，其特征在于，所述氧化物薄膜為ZnO薄膜、In₂O₃薄膜、SnO₂薄膜、Ga₂O₃薄膜、ZrInO薄膜、InZnO薄膜、InSnO薄膜、InAlO薄膜、InWO薄膜、InGaZnO薄膜、InAlZnO薄膜、InTaZnO薄膜、InHfZnO薄膜中的一種或幾種組合。

9.一種氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的有源層的制作方法。

10.一種氧化物薄膜晶體管，其特征在于，包括基板、柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極，所述有源層采用權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的有源層的制作方法制作而成。