[發(fā)明專利]釹鐵硼薄片的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611192277.4
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106847455A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李慧;楊占峰;李靜雅;劉小魚;劉樹峰;魯飛;邢正茂;陳蓓新;張剛;白洋;王峰;孫良成;鄭天倉
• 申請（專利權(quán)）人: 包頭稀土研究院;瑞科稀土冶金及功能材料國家工程研究中心有限公司;包頭云捷電爐廠
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 北京康盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11331
• 代理人: 張良

1.一種釹鐵硼薄片的制備方法，包括：

按設(shè)計(jì)成分配料、熔煉、速凝鑄片；

采用物理氣相沉積方法，將重稀土元素粒子或者高熔質(zhì)元素粒子沉積在釹鐵硼薄片上。

2.如權(quán)利要求1所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：在惰性氣氛中物理氣相沉積，溫度為300～500℃，沉積速率為0.01～50μm/min。

3.如權(quán)利要求2所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：惰性氣氛為氬氣或氦氣或真空，物理氣相沉積采用磁控濺射沉積、離子鍍沉積或蒸發(fā)源沉積。

4.如權(quán)利要求1所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：高熔質(zhì)元素粒子采用Dy、Tb、W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga元素的粒子；重稀土元素粒子采用Dy或者Tb元素的粒子。

5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：將釹鐵硼合金薄片和重稀土靶材分別置于物理氣相沉積裝置內(nèi)；抽真空至真空度高于2.0×10^-2Pa，充入氬氣至0.2～1.0Pa；對釹鐵硼薄片加熱，開啟物理氣相沉積裝置，采用物理氣相沉積將重稀土粒子沉積在釹鐵硼薄片上；停止物理氣相沉積，待溫度降至室溫后取出釹鐵硼薄片。

6.如權(quán)利要求5所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：對釹鐵硼薄片加熱的加熱溫度為300～500℃，重稀土粒子沉積速率為0.01～50μm/min。

7.如權(quán)利要求5所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：重稀土靶材為元素Dy或者Tb中至少一種元素的純金屬、合金或氧化物。

8.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：將釹鐵硼合金薄片和高熔質(zhì)靶材分別置于物理氣相沉積裝置內(nèi)；抽真空至真空度高于2.0×10^-2Pa，充入氬氣至0.2～1.0Pa；對釹鐵硼薄片加熱，開啟物理氣相沉積裝置，采用物理氣相沉積將高熔質(zhì)粒子沉積在釹鐵硼薄片上；停止物理氣相沉積，待溫度降至室溫后取出釹鐵硼薄片。

9.如權(quán)利要求8所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：對釹鐵硼薄片加熱的加熱溫度為300～500℃，高熔質(zhì)粒子沉積速率為0.01～50μm/min。

10.如權(quán)利要求8所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：高熔質(zhì)靶材為元素W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga中至少一種元素的純金屬、合金或氧化物。