[發明專利]一種微米級硅基底上的鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201611192111.2
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN107059128B
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 胡文
• 申請（專利權）人: 濟南晶正電子科技有限公司
• 主分類號: C30B29/30
• 分類號: C30B29/30;C30B29/64;C30B33/02
• 代理公司: 山東濟南齊魯科技專利事務所有限公司 37108
• 代理人: 曲洋

1.一種微米級硅基底上的鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜，其特征在于，包括基底層和位于基底層上的功能層，所述的基底層為硅基底；所述的功能層為鉭酸鋰薄膜或鈮酸鋰薄膜；硅基底的厚度為300～1000μm，鉭酸鋰薄膜或鈮酸鋰薄膜的厚度為1～100μm；

微米級硅基底上的鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜的制備方法，包括以下步驟：

①提供原始基板，并對原始基板進行表面拋光和清洗，以獲得能夠進行直接鍵合工藝的光滑原始基板工藝面；所述的原始基板為單晶鉭酸鋰或單晶鈮酸鋰；光滑原始基板工藝面的表面粗糙程度低于1納米；

②提供目標基板，并對目標基板進行表面拋光和清洗，以獲得能夠進行直接鍵合工藝的光滑目標基板工藝面；所述的目標基板為硅基板；光滑目標基板工藝面的表面粗糙程度低于1納米；

③利用直接鍵合法，將步驟①所得光滑原始基板工藝面和步驟②所得光滑目標基板工藝面接觸鍵合，得到鍵合體，其中原始基板為功能層，目標基板為基底層；

④利用晶片研磨工藝，將步驟③所得鍵合體中的功能層減薄至大于目標厚度1～5μm的厚度，然后將鍵合體退火處理得到退火后的鍵合體，退火溫度為120～270℃，退火時間為4～5小時；

⑤將步驟④所得退火后的鍵合體采用化學機械拋光至目標厚度，得到微米級硅基底上的鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜。

2.根據權利要求1所述的微米級硅基底上的鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜，其特征在于，硅基底的薄膜厚度是鉭酸鋰薄膜或鈮酸鋰薄膜的厚度的十倍。

3.根據權利要求1所述的微米級硅基底上的鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜，其特征在于，步驟①和步驟②中拋光均為化學機械拋光。

4.根據權利要求1所述的微米級硅基底上的鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜，其特征在于，步驟④中，功能層減薄至大于目標厚度2μm的厚度。

5.根據權利要求1所述的微米級硅基底上的鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜，其特征在于，步驟④中的退火溫度為250℃，退火時間為4小時。