[發(fā)明專利]光刻方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611191926.9
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN108227389B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 裴明俊
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種光刻方法，其特征在于，包括：

提供半導體晶圓，在所述半導體晶圓上形成光刻膠層，并對所述光刻膠層進行曝光、顯影，以圖形化所述光刻膠層；

對圖形化的所述光刻膠層進行測量，以獲得各區(qū)域的關(guān)鍵尺寸；

判斷各區(qū)域關(guān)鍵尺寸差異對后續(xù)工藝影響的大小，以確定是否對部分區(qū)域進行光照處理，

其中，如果各區(qū)域關(guān)鍵尺寸差異對后續(xù)工藝的影響大，則基于均勻性要求對部分區(qū)域進行光照處理，以使所述部分區(qū)域的光刻膠層收縮；

如果各區(qū)域關(guān)鍵尺寸差異對后續(xù)工藝影響小，則直接進行后續(xù)工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，還包括：對所述半導體晶圓進行分區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻方法，其特征在于，將所述半導體晶圓劃分為晶圓中心區(qū)域和晶圓邊緣區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任意一項所述的光刻方法，其特征在于，所述光照處理為紫外光照射處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述紫外光的功率密度為600～900W/cm²。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻方法，其特征在于，在進行所述紫外光照射處理時對所述半導體晶圓進行加熱。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻方法，其特征在于，在進行所述紫外光照射處理時將所述半導體晶圓加熱至70～150℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述紫外光照射處理的持續(xù)時間為10～100秒。

9.一種光刻方法，其特征在于，包括：

提供一組半導體晶圓，在每個半導體晶圓上形成圖形化的光刻膠層；

從所述一組半導體晶圓中選取一個或幾個半導體晶圓，對該一個或幾個半導體晶圓的圖形化的光刻膠層進行測量，以獲得該一個或幾個半導體晶圓中每個晶圓各區(qū)域的關(guān)鍵尺寸；

判斷各區(qū)域關(guān)鍵尺寸差異對后續(xù)工藝影響的大小，以確定是否對部分區(qū)域進行光照處理，

其中，如果各區(qū)域關(guān)鍵尺寸差異對后續(xù)工藝影響大，則對所述一組半導體晶圓中的每個半導體晶圓的部分區(qū)域進行光照處理，以使所述區(qū)域的光刻膠層收縮；

如果各區(qū)域關(guān)鍵尺寸差異對后續(xù)工藝影響小，則對所述一組半導體晶圓直接進行后續(xù)工藝。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻方法，其特征在于，所述光照處理為紫外光照射處理。