[發明專利]Nand Flash塊管理方法和系統

有效

• 申請號: 201611191783.1
• 申請日: 2016-12-21
• 公開（公告）號: CN106648463B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 周立功
• 申請（專利權）人: 廣州立功科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 馮右明

本發明涉及Nand Flash塊管理方法和系統。所述方法包括：接收應用層的訪問指令，所述訪問指令中包含邏輯塊地址；查詢預設的地址映射表，獲取所述邏輯塊地址對應的物理塊地址；查詢預設的壞塊列表，檢測所述物理塊地址指向的存儲塊是否可用；若所述物理存儲地址指向的存儲塊不可用，根據預設的地址映射算法重新確定與所述邏輯塊地址對應的Nand Flash物理塊地址，更新所述地址映射表，根據所述訪問指令對重新確定的物理塊地址指向的存儲塊進行操作。本發明能夠降低系統的復雜度，且無需占用較大的內存，具有較強的可移植性及通用性。

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，特別是涉及一種Nand Flash塊管理方法和系統。

背景技術

NAND Flash是非易失性存儲器的一種，其內部采用非線性宏單元模式，能達到極高的單元密度及存儲密度.然而，NAND Flash與其他高密度存儲媒介一樣不可避免地存在壞塊的問題。于是在應用NAND Flash時必須對其存在的壞塊進行規避和管理。

NAND Flash的壞塊問題是影響存儲可靠性的重要問題。目前，NAND壞塊管理方法可分為如下兩類：基于FTL芯片的壞塊管理和基于NAND文件系統的壞塊管理。其中，基于FTL芯片的壞塊管理是使用一個額外的FTL(Flash Translation Layer)芯片對NAND進行管理，對外部屏蔽了壞塊信息，U盤、SD卡、MMC卡以及固態硬盤都使用這種管理方法；該方式基于FTL芯片，因此需要額外的硬件成本。基于NAND文件系統的壞塊管理是直接引入專門針對NAND的文件系統也可以實現對NAND壞塊的管理，如JFFS2、YAFFS2、FlashFx、UBIFS等文件系統；該方式存在需要占用系統很大的內存，并且代碼復雜、效率低、訪問速度慢等不足。

可見，目前的NAND壞塊管理方法還有待改進。

發明內容

基于此，本發明實施例提供了Nand Flash塊管理方法和系統，能夠降低系統的復雜度，且無需占用較大的內存，具有較強的可移植性及通用性。

本發明一方面提供Nand Flash塊管理方法，包括：

接收應用層的訪問指令，所述訪問指令中包含邏輯塊地址；查詢預設的地址映射表，獲取所述邏輯塊地址對應的物理塊地址，所述地址映射表中存儲有與各個邏輯塊地址對應的Nand Flash物理塊地址；

查詢預設的壞塊列表，檢測所述物理塊地址指向的存儲塊是否可用；在所述壞塊列表中對所述Nand Flash中所有不可用的存儲塊進行了標記；

若所述物理存儲地址指向的存儲塊不可用，根據預設的地址映射算法重新確定與所述邏輯塊地址對應的Nand Flash物理塊地址，更新所述地址映射表，并根據所述訪問指令對重新確定的物理塊地址指向的存儲塊進行操作。

本發明另一方面提供一種Nand Flash塊管理系統，包括：

指令及地址確認模塊，用于接收應用層的訪問指令，所述訪問指令中包含邏輯塊地址；查詢預設的地址映射表，獲取所述邏輯塊地址對應的物理塊地址，所述地址映射表中存儲有與各個邏輯塊地址對應的Nand Flash物理塊地址；

塊狀態檢測模塊，用于查詢預設的壞塊列表，檢測所述物理塊地址指向的存儲塊是否可用；在所述壞塊列表中對所述Nand Flash中所有不可用的存儲塊進行了標記；

映射管理模塊，用于若所述物理存儲地址指向的存儲塊不可用，根據預設的地址映射算法重新確定與所述邏輯塊地址對應的Nand Flash物理塊地址，更新所述地址映射表，并根據所述訪問指令對重新確定的物理塊地址指向的存儲塊進行操作。